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IS61WV51216ALL系列高速8M位静态RAM的数据手册
资料介绍
ISIS为61WV51216ALL/BLL和IS64WV51216BLL是高速8M位静态RAM,16位组成512K字。它是用ISSI的高性能CMOS工艺制造的。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合,产生了高性能和低功耗的器件。当CE为高(取消选择)时,器件采用待机模式,在该模式下,功耗可以通过CMOS输入电平降低。通过使用芯片使能和输出使能输入、CE和OE,可以方便地扩展存储器。活动低写入启用(WE)控制存储器的写入和读取。数据字节允许上字节(UB)和下字节(LB)访问该设备采用JEDEC标准44针TSOP II型和48针迷你BGA(9mm x 11mm)封装。
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IS61WV51216ALL系列高速8M位静态RAM的数据手册.PDF | 196K |
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