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AO4292E N沟道MOSFET的数据手册

更新时间：2019-11-25 11:36:54 大小：395K 上传用户：梦留香查看TA发布的资源 标签：mosfet 下载积分：2分评价赚积分（如何评价?）打赏收藏评论(0) 举报

资料介绍

本文档的主要内容详细介绍的是AO4292E N沟道MOSFET的数据手册免费下载。

　　一般说明

　　•沟道功率MV MOSFET技术100V

　　•低RDS（开）

　　•低栅极电荷

　　•针对快速交换应用优化

　　•ESD保护

　　•符合RoHS和无卤标准

　　报错

　　应用

　　DC/DC和AC/DC变换器中的同步整流

　　工业和电机驱动应用

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AO4292E

100V N-Channel MOSFET

General Description

Product Summary

V_DS

• Trench Power MV MOSFET technology

• Low R_DS(ON)

100V

I_D(at V_GS=10V)

R_DS(ON)(at V_GS=10V)

R_DS(ON)(at V_GS=4.5V)

• Low Gate Charge

• Optimized for fast-switching applications

• ESD protected

< 23mΩ

< 33mΩ

• RoHS and Halogen-Free Compliant

Typical ESD protection

HBM Class 2

Applications

100% UIS Tested

100% Rg Tested

• Synchronus Rectification in DC/DC and AC/DC Converters

• Industrial and Motor Drive applications

SOIC-8

Top View

Bottom View

Orderable Part Number

Package Type

Form

Tape & Reel

Minimum Order Quantity

AO4292E

SO-8

3000

Absolute Maximum Ratings T_A=25°C unless otherwise noted

Parameter

Symbol

V_DS

Maximum

Units

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

100

±20

V_GS

T_A=25°C

T_A=70°C

Continuous Drain

Current

I_D

6.2

Pulsed Drain Current ^C

Avalanche Current ^C

I_DM

I_AS

Avalanche energy

V_DSSpike

L=0.1mH

10µs

E_AS

V_SPIKE

120

3.1

T_A=25°C

T_A=70°C

P_D

Power Dissipation ^B

2.0

Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_STG

-55 to 150

°C

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

Typ

Max

Units

°C/W

Maximum Junction-to-Ambient ^A

Maximum Junction-to-Ambient ^{A D}

Maximum Junction-to-Lead

≤ 10s

R_θJA

Steady-State

R_θJL

Rev.1.0: August 2015

www.aosmd.com

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