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AO4292E N沟道MOSFET的数据手册

更新时间：2019-11-25 11:36:54 大小：395K 上传用户：梦留香查看TA发布的资源 标签：mosfet 下载积分：2分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

本文档的主要内容详细介绍的是AO4292E N沟道MOSFET的数据手册免费下载。


　　一般说明


　　•沟道功率MV MOSFET技术100V


　　•低RDS（开）


　　•低栅极电荷


　　•针对快速交换应用优化


　　•ESD保护


　　•符合RoHS和无卤标准


　　报错


　　应用


　　DC/DC和AC/DC变换器中的同步整流


　　工业和电机驱动应用


部分文件列表

文件名 大小
AO4292E_N沟道MOSFET的数据手册.pdf 395K

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AO4292E  
100V N-Channel MOSFET  
General Description  
Product Summary  
VDS  
• Trench Power MV MOSFET technology  
• Low RDS(ON)  
100V  
8A  
ID (at VGS=10V)  
RDS(ON) (at VGS=10V)  
RDS(ON) (at VGS=4.5V)  
• Low Gate Charge  
• Optimized for fast-switching applications  
• ESD protected  
< 23mΩ  
< 33mΩ  
• RoHS and Halogen-Free Compliant  
Typical ESD protection  
HBM Class 2  
Applications  
100% UIS Tested  
100% Rg Tested  
• Synchronus Rectification in DC/DC and AC/DC Converters  
• Industrial and Motor Drive applications  
SOIC-8  
D
Top View  
Bottom View  
D
D
D
D
G
G
S
S
S
S
Orderable Part Number  
Package Type  
Form  
Tape & Reel  
Minimum Order Quantity  
AO4292E  
SO-8  
3000  
Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Maximum  
Units  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
100  
±20  
8
V
V
VGS  
TA=25°C  
TA=70°C  
Continuous Drain  
Current  
ID  
6.2  
A
Pulsed Drain Current C  
Avalanche Current C  
IDM  
32  
IAS  
14  
A
mJ  
V
C
Avalanche energy  
VDS Spike  
L=0.1mH  
10µs  
EAS  
VSPIKE  
10  
120  
3.1  
TA=25°C  
TA=70°C  
PD  
W
Power Dissipation B  
2.0  
Junction and Storage Temperature Range  
TJ, TSTG  
-55 to 150  
°C  
Thermal Characteristics  
Parameter  
Symbol  
Typ  
31  
Max  
40  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
Maximum Junction-to-Ambient A  
Maximum Junction-to-Ambient A D  
Maximum Junction-to-Lead  
t
≤ 10s  
RθJA  
Steady-State  
Steady-State  
59  
75  
RθJL  
16  
24  
Rev.1.0: August 2015  
www.aosmd.com  
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