SJ_T 11769-2020 电子元器件低频噪声参数测试方法 通用要求

SJ_T 11769-2020 电子元器件低频噪声参数测试方法 通用要求 低频噪声是表征电子元器件质量和可靠性的敏感参数，利用电子元器件的低频噪声特性作为质量和可靠性检验评估的方法在许多领域得到广泛应用，并在提升产品品质方面取得显著成效。我国是电子元器件产品生产和使用大国，基于低频噪声技术的电子元器件可靠性无损检测标准对于促进低频噪声技术的发展应用和提高电子元器件产品品质具有重要意义。 基于低频噪声技术的电子元器件可靠性无损检测标准体系架构分为两个系列： （1）电子元器件低频噪声参数测试 电子元器件低频噪声多数测武方法是制定基手低频噪 的电子无器件可靠性无损评价方法的基础。根据电子元器件低检测方法的原理和应用需求，同时 便于开展标准制定和应用工作，电子元器件低频噪 发测试法的标准系列包括：电子元器件低噪测式方法通用要求和具体电子元器件的低 数测试方法，后者包括但不限于：《光电耦合圈 低须声参数测试方法》、 《晶体管低频噪声数测试方法低频噪声参数测试、电阻体法》等。 本标准红于标准本系的第一个系列，对低噪声参数测试的测术语、测试环地及条件、测试系统试方法标准和师展某他类型电于统器性低规糊参数测试提供指轻和参考。 的构成及要求 试程序等提出通用要求，可以为制定本标准体系内具体电子元器的住频噪声参数测。 范围 本标准规定了电子元器件1 Hz~300 kHz频率范围内的噪声参数测试方法和相应的测试系统的通用要求。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的，凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。 凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单》适用于本文件。 GB/T 2421.1 电工电子产品环境试验 概述和指南GJB/Z35 元器件降额准則 GJB 3007 防静电工作区技术要求 3 术语和定义 下列术语和定义适用于本文件. 3.1噪声 noise物理量在统计上的随机涨落。 3.2电噪声 electrical noise电子元器件内部的载流子随机运动引起的电压或电流的涨落。 3.3低频噪声 low-frequeney noise电子元器件在低频段频率范围内的电噪声。 注：常用的井在本标准中采用的低频噪声频率范围为 1 Hz~300 kllz. 3.4噪声电压 noise voltage电子元器件两端电压的随机涨落。注：用a表示，单位为伏特（V）. 3.5噪声电压有效值 RMS value of noise voltage噪声电压在一定带宽内的均方根值。注，用E表示，单位为伏特（V）. 3.6噪声电压峰-峰值 peak-peak value of noise voltage噪声电压在一定带宽内的峰-峰值。注：用way表示，单位为伏特（V） 3.18本底噪声 noise floor除去被测电子元器件的低频噪声，由低频噪声参数测试系统及外界环境引起的总噪声，注：本标准采用噪声电压/电流功率谱密度或噪声电压/电流有效值表示本底噪声。 测试条件及要求 4.1低频噪声测试的环境条件 除非另有规定，测试应在GB/T 2421.1 规定的及以下条件下进行： a）温度；15℃~35°℃；b）相对湿度；25%~75%；c）气压：86 kPa~106 kPa. 低频噪声测试环境及条件应满足 GJB 3007 的防静电要求，避免损坏静电敏感器件，阿时避免电、磁、光和机械等外界环境因素引入的干扰。 4.2 低频噪声测试时被测电子元器件工作条件 被测电子元器件的工作条件一般根据产品详细规范及相关要求进行配置。工作条件包括偏置电压、电流、信号、负载和相关外围电路（当有时）。 除非另有规定，低频噪声测试时被测电子元器件工作条件的确定原则是a）对于电子器件，一般采用静态工作模式作为低频噪声测试的工作条件，静态工作模式所涉及的偏置电压、电流、信号、负载和相关外围电路，应按产品电特性表所规定的典型测试条件确定。对于有多个静态工作模式的，选择与应用状态最接近的模式。如双极晶体管有饱和态、放大态和截止态三种工作模式，对于模拟信号应用场合，其主要工作模式为放大态，则此时应选择放大态作为低频噪声测试的工作模式，对于数字信号应用场景，其主要工作模式为饱和态和截止态，考虑截止态无输出，应选择饱和态作为低频噪声测试的工作模式。对于动态工作的器件，应使其输出尽量稳定在直流输出状态，对于输出无法稳定在直流工作状态的，应尽量稳定在周期输出状态。 b）对于电子元件，一般采用典型使用状态作为低频噪声测试的工作条件，对于典型使用状态为区间范围的元件专业，可按 GJB/Z 35 规定的 1 级降额准则确定工作条件。