积分商城

最新搜索： ET1200 ADUM161N ucos 汽车风门电机控制器 PICkit3 28335
您现在的位置是：首页 > 技术资料 > 柔性单晶锗PIN二极管在关态下的建模研究
推荐星级：
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5

柔性单晶锗PIN二极管在关态下的建模研究

更新时间：2020-09-15 04:39:11 大小：266K 上传用户：六3无线电查看TA发布的资源 标签：PIN二极管 下载积分：2分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

介绍了柔性单晶锗纳米薄膜（GeNM）PIN二极管的制备方法和反向偏置下对应不同弯曲状态下的射频特性。为了定量研究在反向偏置下机械弯曲对柔性PIN二极管射频特性的影响,分别搭建了不同弯曲半径下的等效电路模型。通过研究不同机械应力作用下模型中的各个参数的变化得到二极管内部电阻,寄生电感,p＋p-结的电阻以及p-n＋结的电容为影响其射频特性的主要因素,机械弯曲使这些参数值单调变化,导致柔性单晶锗PIN二极管关态下的射频特性变好。这在应变测量领域显示出很大的发展应用潜力。

This letter presents the fabrication method of flexible single-crystalline germanium nanomembrane （GeNM ） p-intrinsic-n （PIN ） diodes on plastic substrate and radio frequency （rf ） characterization under off state of various bending strains .In order to quantitatively research the RF characteristic variations with different mechanical stress applied on the flexible PIN diode under reverse mode ,accurate equivalent circuit models were set up under different bending radius .After researching the model parameters of the diode varying with the mechanical stress ,it can be obtained internal resistance ,parasitic inductance ,p＋ p-junction resistor and p-n＋ junction capacitance are the main factors affecting the ...

部分文件列表

文件名 大小
柔性单晶锗PIN二极管在关态下的建模研究.pdf 266K

【关注视频号领20积分】   【关注公众号立即送20积分】

相关下载

全部评论(0)

暂无评论
评论赚积分>>

上传资源 上传优质资源有赏金

热门标签

更多>>

最新上传

  • 打赏
  • 30日榜单

热门下载

推荐下载

本站上的所有资源均为源于网上收集或者由用户自行上传，仅供学习和研究使用，无任何商业目的，版权归原作如有侵权，请 来信指出，本站将立即改正。

ICP许可证号：京ICP证070360号     21IC电子网 2000- 版权所有

京ICP备11013301号

京公网安备 11010802024343号