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CMOS工艺的毫米波无源器件的设计
资料介绍
基于CMOS工艺的毫米波无源器件的设计
本文基于CMOS工艺，采用Designer与HFSS软件对平面螺旋电感进行了设计与建模，提取了不同圈数，不同线宽，不同线间距以及不同内径的电感仿真参数，在1-100GHz范围内得到的电感值为0.2-0.5nH，最大Q值为8；针对MIM电容的结构特点，提出了等效电路模型，给出了具体参数的计算方法，对等效电路模型进行了验证。在HFSS中建立了多层电容模型，分析了不同层数，不同极板面积情况下电容值、Q值以及自谐振频率的变化规律。在1-100GHz范围获得的电容值从双层时的0.002一0.015pF增大到五层时的0.02-0.05pF，而Q值则从双层时的450下降到五层时的70左右。
基于建立的螺旋电感模型及MIM电容模型，分别建立了24GHz和60GHz的带通滤波器模型，仿真结果表明，滤波器各参数能较好的满足设计要求。采用T型电感耦合结构设计了中心频率为60GHz、带宽为20GHz带通滤波器，该滤波器回波损耗为37dB，插入损耗小于1.5dB。在T型电感耦合结构的基础上，通过在34GHz处加入传输零点，获得了带宽为18GHz，回波损耗为60dB，插入损耗小于
1.5dB的带通滤波器。
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| 文件名 | 大小 |
| 基于CMOS工艺的毫米波无源器件的设计.pdf | 16M |
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