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新型SERS基底的开发研究进展
资料介绍
一、技术定义与基本原理
免疫场效应晶体管（ImmunoFET）是一种将免疫学特异性识别与场效应晶体管（FET）信号转导功能相结合的生物传感器。其核心原理是通过在FET栅极表面修饰特异性抗体，当目标抗原与抗体发生免疫结合反应时，引起栅极表面电荷密度变化，进而改变FET的源漏电流输出，实现对目标生物分子的高灵敏度检测。
1.1 结构组成
典型ImmunoFET由以下关键部分构成：
1. 场效应晶体管核心：包括源极（Source）、漏极（Drain）、栅极（Gate）和半导体沟道（常用硅、石墨烯等材料）
2. 生物识别层：固定于栅极表面的特异性抗体/抗原分子，通过共价键或物理吸附方式修饰
3. 电解质溶液：作为离子导电介质，形成生物识别反应环境
4. 参比电极：用于稳定栅极偏压，维持检测系统电化学平衡
1.2 工作机制
当待测样本中的目标抗原与栅极表面抗体结合时，会导致界面双电层厚度、表面电势或电荷分布改变，通过电场效应调控半导体沟道的载流子浓度，使源漏电流（IDS）发生可量化变化。检测过程通常在恒压模式（固定栅压VGS）下监测电流变化，或恒流模式（固定IDS）下记录栅压偏移。
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