积分商城

最新搜索： PL2303 altium Designer 20 电路设计与仿真从入门到精通 auto cad 常用LOGO标识 microBUCK TMC5160
您现在的位置是：首页 > 技术资料 > MOSFET和IGBT区别
推荐星级：
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5

MOSFET和IGBT区别

更新时间：2019-12-07 21:36:49 大小：1M 上传用户：xuzhen1查看TA发布的资源 标签：mosfetigbt 下载积分：0分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

MOSFET和IGBT内部结构不同, 决定了其应用领域的不同.

1, 由于MOSFET的结构, 通常它可以做到电流很大, 可以到上KA,但是前提耐压能

力没有IGBT强。

2,IGBT 可以做很大功率, 电流和电压都可以, 就是一点频率不是太高, 目前IGBT

硬开关速度可以到100KHZ,那已经是不错了. 不过相对于MOSFET的工作频率还是

九牛一毛,MOSFET可以工作到几百KHZ,上MHZ,以至几十MHZ,射频领域的产品.

3, 就其应用, 根据其特点:MOSFET应用于开关电源, 镇流器, 高频感应加热, 高频

逆变焊机, 通信电源等等高频电源领域;IGBT 集中应用于焊机, 逆变器, 变频器,

电镀电解电源, 超音频感应加热等领域

开关电源 (Switch Mode Power Supply ；SMPS) 的性能在很大程度上依赖于功率

半导体器件的选择，即开关管和整流器。

虽然没有万全的方案来解决选择IGBT还是MOSFET的问题，但针对特定SMPS应

用中的IGBT 和 MOSFET进行性能比较，确定关键参数的范围还是能起到一定的

参考作用。

本文将对一些参数进行探讨，如硬开关和软开关ZVS ( 零电压转换) 拓扑中的开

关损耗，并对电路和器件特性相关的三个主要功率开关损耗—导通损耗、传导损

耗和关断损耗进行描述。此外，还通过举例说明二极管的恢复特性是决定MOSFET

或 IGBT 导通开关损耗的主要因素， 讨论二极管恢复性能对于硬开关拓扑的影响。

导通损耗

除了IGBT的电压下降时间较长外， IGBT和功率MOSFET的导通特性十分类

似。由基本的IGBT等效电路（见图1）可看出，完全调节PNP BJT集电极基极

区的少数载流子所需的时间导致了导通电压拖尾（ voltage tail ）出现。


部分文件列表

文件名 大小
MOSFET和IGBT区别.pdf 1M

【关注视频号领20积分】   【关注公众号立即送20积分】

部分页面预览

（完整内容请下载后查看）
MOSFE和T IGBT区别  
MOSFET和IGBT内部结构不同 , 决定了其应用领域的不同 .  
1, 由于 MOSFE的T 结构, 通常它可以做到电流很大 , 可以到上 KA,但是前提耐压能  
力没有 IGBT强。  
2,IGBT 可以做很大功率 , 电流和电压都可以 , 就是一点频率不是太高 , 目前 IGBT  
硬开关速度可以到 100KHZ,那已经是不错了 . 不过相对于 MOSFE的T 工作频率还是  
九牛一毛 ,MOSFET可以工作到几百 KHZ,上MHZ,以至几十 MHZ,射频领域的产品 .  
3, 就其应用, 根据其特点 :MOSFET应用于开关电源 , 镇流器, 高频感应加热 , 高频  
逆变焊机 , 通信电源等等高频电源领域 ;IGBT 集中应用于焊机 , 逆变器, 变频器,  
电镀电解电源 , 超音频感应加热等领域  
开关电源 (Switch ModePower Supply；SMPS)的性能在很大程度上依赖于功率  
半导体器件的选择，即开关管和整流器。  
虽然没有万全的方案来解决选择 IGBT还是 MOSFE的T 问题，但针对特定 SMPS应  
用中的 IGBT 和 MOSFET进行性能比较，确定关键参数的范围还是能起到一定的  
参考作用。  
本文将对一些参数进行探讨，如硬开关和软开关  
ZVS( 零电压转换 ) 拓扑中的开  
关损耗，并对电路和器件特性相关的三个主要功率开关损耗—导通损耗、 传导损  
耗和关断损耗进行描述。 此外，还通过举例说明二极管的恢复特性是决定 MOSFET  
或 IGBT 导通开关损耗的主要因素， 讨论二极管恢复性能对于硬开关拓扑的影响。  
导通损耗  
除了 IGBT的电压下降时间较长外， IGBT和功率 MOSFE的T 导通特性十分类  
似。由基本的 IGBT等效电路（见图 1）可看出，完全调节 PNP BJT集电极基极  
区的少数载流子所需的时间导致了导通电压拖尾（ voltage tail ）出现。  
这种延迟引起了类饱和 (Quasi-saturation) 效应，使集电极 / 发射极电压  
不能立即下降到其 VCE(sat) 值。这种效应也导致了在 ZVS情况下，在负载电流  
从组合封装的反向并联二极管转换到 IGBT 的集电极的瞬间， VCE电压会上升。  
IGBT产品规格书中列出的 Eon能耗是每一转换周期 Icollector 与VCE乘积的时  
间积分，单位为焦耳， 包含了与类饱和相关的其他损耗。 其又分为两个 Eon能量  
参数，Eon1和 Eon2。Eon1是没有包括与硬开关二极管恢复损耗相关能耗的功率  
损耗；Eon2则包括了与二极管恢复相关的硬开关导通能耗，可通过恢复与  
IGBT  
组合封装的二极管相同的二极管来测量， 典型的 Eon2测试电路如图 2 所示。IGBT  
通过两个脉冲进行开关转换来测量 Eon。第一个脉冲将增大电感电流以达致所需  
的测试电流，然后第二个脉冲会测量测试电流在二极管上恢复的  
Eon损耗。  

相关下载

全部评论(0)

暂无评论
评论赚积分>>

上传资源 上传优质资源有赏金

热门标签

更多>>

最新上传

  • 打赏
  • 30日榜单

热门下载

推荐下载

本站上的所有资源均为源于网上收集或者由用户自行上传，仅供学习和研究使用，无任何商业目的，版权归原作如有侵权，请 来信指出，本站将立即改正。

ICP许可证号：京ICP证070360号     21IC电子网 2000- 版权所有

京ICP备11013301号

京公网安备 11010802024343号