积分商城

最新搜索： CH340 排插 入门教程 canopen TMC5160 altium Designer 20 电路设计与仿真从入门到精通
您现在的位置是：首页 > 技术资料 > MOSFET与IGBT的应用区别
推荐星级：
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5

MOSFET与IGBT的应用区别

更新时间：2019-11-30 11:35:32 大小：10K 上传用户：xuzhen1查看TA发布的资源 标签：mosfetigbt 下载积分：0分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

POWER MOSFET 优点是高频特性十分优秀（MOSFET 可以工作到几百KHZ, 上MHZ, 以至几十

MHZ, 射频领域的产品） ，驱动简单(电压型驱动)，抗击穿性妤(没有雪崩效应)

POWER MOSFET 的弱点是高耐压化后之功率损失激增。缺点是耐高压的器件，导通电阻大．

在高压大电流场合功耗较大，因此大功率(1 500W 以上) 有些困难。

对于MOSFET 来说, 仅由多子承担的电荷运输没有任何存储效应, 因此, 很容易实现极短

的开关时间。POWER MOSFET 其高频特性十分优秀，所以MOSFET 可用于较高频率的场合。

在低电源电压下动作时之功率损失（ POWER LOSS）远低于以往之组件，但是问题是, 在高压

的"开" 状态下的源漏电阻很高(压降高) , 而且随着器件的电压等级迅速增长（耐压越高导通电阻

越大,除了采用COOLMOS 管芯的以外)。因而其传导损耗就很高, 特别在高功率应用时, 很受

限制。

IGBT 优点是驱动简单，导通压降小，耐压高．功率可以达到5000w。

IGBT 弱点是开关频率最大40—50KHz ，开关损耗大而且有擎拄效应。

和MOSFET 有所不同,IGBT 器件中少子也参与了导电, IGBT 是采用MOS 结构的双极器件

导通电阻小(发热就少)高耐压,因而可大大降低导通压降。但另一方面, 存储电荷的增强与耗散

引发了开关损耗、延迟时间( 存储时间) 、以及在关断时还会引发集电极拖尾电流。同时存

在的电流尾巴和较高的IGBT 集电极到发射极电压将产生关闭开关损耗。这样就限制了IGBT

的上限频率由以上分析可知,IGBT 适用于高功率和高压的场合, 但是因为电流尾巴的原因,

频率范围受限, 开关损耗也很明显;MOSFET 关闭时电流下降速度快, 可用于较高频率范围

内, 但由于开通漏电阻高, 在较高的电压等级下, 导致的开通损耗显著, 不适用于高功率电

路中。

驱动两种电路可以一样,只是IGBT 输入电容MOS 大故需提供更大的正负电压的驱动功率。


部分文件列表

文件名 大小
MOSFET与IGBT的应用区别.pdf 10K

【关注视频号领20积分】   【关注公众号立即送20积分】

部分页面预览

（完整内容请下载后查看）
MOSFET 与 IGBT  
POWER MOSFET 优点是高频特性十分优秀 （MOSFET 可以工作到几百 KHZ, 上 MHZ, 以至几十  
MHZ, 射频领域的产品） ，驱动简单 (电压型驱动 )，抗击穿性妤 (没有雪崩效应 )  
POWER MOSFET 的弱点是高耐压化后之功率损失激增。缺点是耐高压的器件，导通电阻大．  
在高压大电流场合功耗较大，因此大功率  
(1 500W 以上 )有些困难。  
对于 MOSFET 来说 , 仅由多子承担的电荷运输没有任何存储效应  
的开关时间。 POWER MOSFET 其高频特性十分优秀，所以 MOSFET 可用于较高频率的场合。  
在低电源电压下动作时之功率损失（ POWER LOSS）远低于以往之组件，但是问题是 , 在高压  
的"开" 状态下的源漏电阻很高 (压降高 ) , 而且随着器件的电压等级迅速增长 （耐压越高导通电阻  
, 因此 , 很容易实现极短  
越大 ,除了采用 COOLMOS 管芯的以外 )。因而其传导损耗就很高  
限制。  
, 特别在高功率应用时 , 很受  
IGBT 优点是驱动简单，导通压降小，耐压高．功率可以达到  
5000w。  
IGBT 弱点是开关频率最大 40— 50KHz ，开关损耗大而且有擎拄效应。  
和 MOSFET 有所不同 ,IGBT 器件中少子也参与了导电 , IGBT 是采用 MOS 结构的双极器件  
导通电阻小 (发热就少 )高耐压 ,因而可大大降低导通压降。但另一方面  
, 存储电荷的增强与耗散  
引发了开关损耗、延迟时间 ( 存储时间 ) 、以及在关断时还会引发集电极拖尾电流。同时存  
在的电流尾巴和较高的  
IGBT 集电极到发射极电压将产生关闭开关损耗。这样就限制了  
,IGBT 适用于高功率和高压的场合 , 但是因为电流尾巴的原因  
, 可用于较高频率范围  
, 在较高的电压等级下 , 导致的开通损耗显著 , 不适用于高功率电  
IGBT  
的上限频率由以上分析可知  
,
频率范围受限 , 开关损耗也很明显 ;MOSFET 关闭时电流下降速度快  
内 , 但由于开通漏电阻高  
路中。  
驱动两种电路可以一样 ,只是 IGBT 输入电容 MOS 大故需提供更大的正负电压的驱动功率。  
总之， MOSFET 一般在较低功率应用及较高频应用（即功率  
表现较好， 而 IGBT 则在较低频及较高功率设计中表现卓越。  
<1000W 及开关频率 ≥ 100kHz）中  
就其应用 ,根据其特点 :MOSFET 应  
用于开关电源 ,镇流器 ,高频感应加热 ,高频逆变焊机 ,通信电源等等高频电源领域 ;IGBT 集中应用  
于焊机 ,逆变器 ,变频器 ,电镀电解电源 ,超音频感应加热等领域。  

相关下载

全部评论(0)

暂无评论
评论赚积分>>

上传资源 上传优质资源有赏金

热门标签

更多>>

最新上传

  • 打赏
  • 30日榜单

热门下载

推荐下载

本站上的所有资源均为源于网上收集或者由用户自行上传，仅供学习和研究使用，无任何商业目的，版权归原作如有侵权，请 来信指出，本站将立即改正。

ICP许可证号：京ICP证070360号     21IC电子网 2000- 版权所有

京ICP备11013301号

京公网安备 11010802024343号