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General Mosfet Infineon-IRFI4019H-117P-DataSheet
资料介绍
This Digital Audio MosFET Half-Bridge is specifically designed for Class D audio amplifier applications. It consists of two power MosFET switches connected in half-bridge configuration. The latest process is used to achieve low on-resistance per silicon area. Furthermore, Gate charge, body-diode reverse recovery, and internal Gate resistance are optimized to improve key Class D audio amplifier performance factors such as efficiency, THD and EMI. These combine to make this Half-Bridge a highly efficient, robust and reliable device for Class D audio amplifier applications.
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| Infineon-IRFI4019H-117P-DataSheet-v01_01-EN.pdf | 297K |
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