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IGBT驱动电路设计方法
资料介绍
1.1驱动电压
对于目前的IGBT和MOSFET而言，此电压一般被限定为20 V。推荐使用的栅极驱动电压推荐使用值须达到
MOSFET：Vs-+10V IGBT：VGo=+15 V，V GG.=-15 V IGBT驱动负偏电压的作用是，在整个关断过程中维持一个足够大的反向栅极电流。利用关断过程中的高dvcp/dt值，来吸取n漂移区内的大部分空穴载流子，进而缩短拖尾电流的时间.
与IGBT不同的是，采用负偏的静态栅源电压来维持MOSFET关断状态的方法是不可取的，主要是由于MOSFET的晶体管结构所能够承受的dv/dt有限，从而限制了栅源负偏电压的应用。
a.门极正偏压电压：+Vc（导通期间）
门极正偏压电压+Voe的推荐值为+15V，下面说明+Var设计时应注意的事项。
（1）+VaE应设计在G-E间最大额定电压Vas-士20V的范围内
（2）电源电压的变动在士10%范围内。
（3）导通期间的C-E间饱和电压（VCE（sat））随+Vc变化，+VGE越高饱和电压越低。
（4）+VcE越高，开通交换时的时间和损耗越小。
（5）+VcE越高，开通时（FWD反向恢复时）的对置支路越容易产生浪涌电压。
（6）即使是在IGBT断开的时间段内，由于FWD的反向恢复时的dv/dt会发生误动作，形成脉冲状的集电极电流，从而产生不必要的发热。这种现象被称为dvidt误触发，+Va越高越容易发生。
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资料：bitboy
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