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阻变存储器外围电路关键技术研究进展

更新时间：2020-09-14 04:46:16 大小：1M 上传用户：六3无线电查看TA发布的资源 标签：存储器 下载积分：1分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

阻变存储器（RRAM）是一种前景非常好的未来通用存储技术,也是当前国际学术界和工业界研究的热点。主要介绍了存储器外围电路的电路设计,并介绍了阻性存储器外围电路,包括验证电路、写电路、参考模块方案和形式、限流等关键技术的原理,重点讨论了提升复位操作速度,改善高阻值离散性,参考方案的设计和参考单元的组成,用限流实现低功耗操作的方法及其发展趋势。

Resistive random accesses memory （RRAM） is one of the most promising candG dates for the next generation of non-volatile memory. The basic structure of peripheral circuit was designed and described is this paper. Several kinds of set/reset methods and their reference techniques, different ways to control compliance current were discussed. Method to improve re- set operation speed and achieve a narrower concentration of high resistance, reference mode and structure, low power consumption design with current compliance were analysed. Finally, the trend of peripheral circuit was discussed.

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