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High-NA EUV光刻技术研究

更新时间：2026-02-27 13:37:43 大小：15K 上传用户：江岚查看TA发布的资源 标签：EUV光刻 下载积分：2分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

High-NA EUV（High Numerical Aperture Extreme Ultraviolet Lithography，高数值孔径极紫外光刻）技术作为下一代半导体制造的核心工艺，是突破摩尔定律物理极限的关键支撑技术。该技术通过将数值孔径（NA）从传统EUV的0.33提升至0.55，显著提高光刻系统的分辨率，为3nm及以下先进制程芯片的量产提供可行性方案。

技术原理与核心突破

1. 数值孔径提升的技术路径

传统EUV光刻系统采用0.33 NA设计，受限于阿贝衍射极限，其理论最小分辨率约为13nm（基于公式Resolution = k₁·λ/NA，λ=13.5nm，k₁=0.33）。High-NA EUV通过将NA提升至0.55，在保持曝光波长不变的前提下，分辨率可提升至约8nm，满足3nm及以下节点的线宽需求。为实现这一目标，系统光学设计从传统的“干式”架构升级为“沉浸式”设计，通过在晶圆与物镜之间引入折射率1.44的液体介质（如超纯水），有效增大数值孔径。


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