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全环绕栅极技术概述

更新时间：2026-02-27 13:37:28 大小：16K 上传用户：江岚查看TA发布的资源 标签：全环绕栅极 下载积分：2分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

全环绕栅极（Gate-All-Around, GAA）是一种先进的半导体器件结构，通过将栅极材料完全环绕沟道区域，实现对晶体管开关特性的精准控制。作为FinFET（鳍式场效应晶体管）的下一代演进技术，GAA在延续摩尔定律、提升芯片性能和降低功耗方面具有重要意义，已成为3nm及以下先进制程的核心技术之一。

技术原理与结构特点

1. 基本结构

全环绕栅极晶体管的核心特征是栅极材料（通常为高介电常数介质+金属栅极，即High-K Metal Gate, HKMG）从三维方向完全包裹半导体沟道。与传统平面晶体管和FinFET相比，其结构差异主要体现在：

· 平面晶体管：栅极仅覆盖沟道顶部

· FinFET：栅极覆盖沟道的顶部和两侧（类"鳍"状结构）

· GAA：栅极形成闭合环状结构，完全环绕圆柱形或矩形截面的沟道

常见的GAA结构包括纳米线（Nanowire）和纳米片（Nanosheet）两种形态，其中纳米片结构因具有更宽的沟道截面，在电流驱动能力上更具优势，已成为主流技术方向。


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