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D波段功率放大器设计

更新时间：2020-07-18 15:44:25 大小：5M 上传用户：守着阳光1985查看TA发布的资源 标签：功率放大器 下载积分：5分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

基于0.13μmSiGe BiCMOS工艺,研究和设计了一种D波段功率放大器芯片.该放大器芯片用了四个功率放大器单元和两个T型结网络构成.功率放大器单元采用了三级的cascode电路结构.低损耗的片上T型结网络既能起到片上功率合成/分配的功能,又能对输入输出进行阻抗匹配.对电路结构进行了设计、流片验证和测试.采用微组装工艺将该芯片封装成为波导模块.小信号测试结果表明：该功放芯片工作频率为125-150GHz,最高增益在131GHz为21dB,最低增益在150GHz为17dB,通带内S22小于-7dB,S11小于-10dB.大信号测试结果表明：该功放模块在128-146GHz带内输出功率都大于13dBm,在139GHz时,具有最高输出功率为13.6dBm,且1dB压缩功率为12.9dBm.

This paper presents D-band SiGe power amplifier(PA)developed by using the 0.13μm SiGe BiCMOS technology.Building blocks of a 4-way amplifier are implemented using three-stage cascode power amplifier units,and T-junction networks are used for power combining and splitting.The PA chip works in 125-150 GHz,and achieves a small-signal biggest gain of21 dB at 131 GHz,with a small-signal lowest gain of 17 dB at 150 GHz.The PA module exhibits a saturated output power of13.6dBm and an output 1dB gain compression power of 12.9dBm at 139 GHz.

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