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60W辅助电源演示板设计指南

更新时间:2019-06-05 17:38:08 大小:2M 上传用户:z00查看TA发布的资源 标签:电源演示板 下载积分:2分 评价赚积分 (如何评价?) 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

三相应用,如电机驱动,UPS和光伏逆变器,具有前端AC / DC或DC / DC转换器,可将DC链路电压提升至600Vdc至800Vdc。考虑到设计余量,最大直流链路电压高达1000V。为了在实践中支持这样的系统,辅助电源用于以DC链路电压作为其输入来产生用于冷却风扇,显示器,控制逻辑和系统保护功能的电力。对于这种低功耗应用,反激式拓扑是业界最常见的类型;然而,传统的单端反激式拓扑难以满足高输入电压。第一个困难是由高输入电压(1000Vdc)引起的;单端反激式拓扑结构需要高阻断电压开关器件。

目前,硅MOSFET仅具有1500V的阻断电压,其具有低电压应力设计余量,因此影响电源的可靠性。第二个挑战是大多数1500V Si MOSFET具有非常大的导通电阻,这将导致更高的损耗,更高的热量和更低的效率,特别是当整个三相系统在光输出负载和辅助电源下工作时损失占系统总损失的大部分。最后,为了支持宽输入电压范围,通常使用纯电阻启动电路。但是,启动电阻会导致高输入电压时的损耗。较大的启动电阻将具有较少的损耗,但在低输入电压时会导致较长的启动时间。为了克服这些辅助电源设计挑战以提供高输入电压,双开关反激式转换器被提议使用高侧和低侧800V Si MOSFET,如图1所示,但它具有额外的隔离栅极驱动电路,增加了元件计算和复杂的设计。本应用笔记提出了一种单端反激式转换器,通过使用1700V SiC MOSFET取代复杂的双开关反激式转换器。还引入了有源启动电路,以便以更快的启动时间实现更少的启动损耗。 60W实验参考设计表明,1700V SiC MOSFET可以降低总成本并简化辅助电源的设计

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60w_single_ended_fly_back_auxiliary_power_supply_reference_design.pdf 2M

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