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013μm+CMOS工艺下电子可编程熔丝研究与设计
资料介绍
鉴于传统熔丝的制造工艺与目前标准CMOS逻辑制造工艺不兼容，已成为制约集成电路发展的重要问题，因此，新兴的电子可编程熔丝efuse取代传统熔丝，成为该领域的研究热点。
本文详细介绍电子可编程熔丝的工作原理，并分析影响其性能及可靠性的相关因素：设计了三种efuse外围电路；然后在此基础上，对整体电路以及关键部件参数进行仿真验证：最后基于SMIC0.13um标准CMOS工艺进行版图设计并流片测试。
经过流片，对efuse的可靠性和efuse电路两方面测试结果表明：cfuse在HTS测试中坏点率为150PPM（225℃，250hrs）；DTC测试中坏点率仅为3PPM（-65℃～~
150℃，500cycles）且具有耐温耐压的特性。三种efuse外围电路经过测试对比，最后选择第一种efuse电路作为最终电路，其中在3.3V、lus的条件下，编译后的所有熔丝都达到10KQ以上：在3.63V、lus的条件下，编译熔丝达到50KQ以上。
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| 013μm+CMOS工艺下电子可编程熔丝研究与设计.pdf | 14M |
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