- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
GaN垂直功率器件技术研究
资料介绍
氮化镓（GaN）作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表，具有禁带宽度大（3.4 eV）、电子迁移率高、击穿场强高（约3.3 MV/cm）、热导率高等优异特性，在功率电子领域展现出巨大应用潜力。GaN功率器件主要分为横向结构（如HEMT）和垂直结构两大类。其中，垂直结构GaN器件通过垂直方向导通电流，具有导通电阻低、电流处理能力强、散热性能优异等优势，特别适用于中高压、大电流功率转换场景，如新能源汽车、智能电网、工业控制等领域。
部分文件列表
| 文件名 | 大小 |
| GaN垂直功率器件技术研究.docx | 17K |
最新上传
- 打赏
- 30日榜单
-
21ic小能手 打赏5.00元 1天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 1天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 1天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 1天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 1天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 1天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 1天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 1天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 1天前
-
21ic小能手 打赏3.00元 1天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 1天前
-
21ic小能手 打赏3.00元 1天前
-
21ic小能手 打赏3.00元 1天前
-
21ic小能手 打赏3.00元 1天前
-
21ic小能手 打赏3.00元 1天前
-
21ic小能手 打赏3.00元 1天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 1天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 1天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 1天前
-
21ic小能手 打赏3.00元 1天前
-
21ic小能手 打赏3.00元 1天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 1天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 1天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 1天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 2天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 2天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 2天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 2天前
-
21ic小能手 打赏3.00元 2天前
-
21ic小能手 打赏3.00元 2天前
-
21ic小能手 打赏3.00元 2天前
-
21ic小能手 打赏3.00元 2天前
-
21ic小能手 打赏3.00元 2天前
-
21ic小能手 打赏3.00元 2天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 2天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 2天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 2天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 2天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 2天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 2天前
全部评论(0)