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光电导探测器
资料介绍
一、概述
光电导探测器（Photoconductive Detector）是一种基于光电导效应工作的光电器件，当光照射到半导体材料上时，材料的电导率发生变化，通过测量这种电导率的变化来实现对光信号的探测。它具有灵敏度高、响应速度快、光谱响应范围宽等特点，广泛应用于光通信、红外成像、环境监测、工业自动化等领域。
二、工作原理
光电导效应是光电导探测器的核心工作原理。在半导体材料中，电子通常处于价带，当受到能量大于材料禁带宽度的光子照射时，价带中的电子吸收光子能量跃迁到导带，同时在价带中留下空穴，形成电子 - 空穴对。这些载流子的浓度增加，导致半导体材料的电导率增大。电导率的变化量与入射光的强度相关，通过测量电导率的变化，即可得到入射光的强度信息。
当在光电导探测器两端施加偏置电压时，载流子在电场作用下定向移动形成电流。无光照时，材料的暗电导率较小，暗电流也较小；有光照时，电导率增大，光电流增大。光电流与入射光功率之间存在一定的关系，通常在一定范围内呈线性关系。
三、基本结构
光电导探测器的基本结构主要包括以下几个部分：
· 光敏材料层：这是探测器的核心部分，通常采用具有良好光电导效应的半导体材料，如硫化镉（CdS）、硒化镉（CdSe）、碲化镉（CdTe）、硅（Si）、锗（Ge）以及各种红外半导体材料（如碲镉汞HgCdTe、锑化铟InSb等）。光敏材料的选择取决于探测器的工作波长范围和性能要求。
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