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关于塑封VDMOS器件热点的研究

更新时间:2016-09-23 00:58:43 大小:2M 上传用户:yuyue03查看TA发布的资源 标签:塑封VDMOS热点 下载积分:2分 评价赚积分 (如何评价?) 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

主要介绍了塑封VDMOS器件进行单雪崩能量测试过程和实际应用中不良品产生热点的原因,从二次击穿的角度对其进行理论解释并提出一些改进措施。

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