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TOSHIBA东芝TPN11003NL N沟道MOSFET 产品规格书datasheet
资料介绍
TPH11003NL的设计聚焦于优化电源转换效率。以下是其一些重要的技术参数
导通电阻（RDS(ON)）低：在4.5V的栅极驱动电压下，其典型值为12.6 mΩ，这使得在负载电流较大时，功耗显著降低，从而提高了整体系统的效率。
栅极电荷低：其栅极电荷（QSW）典型值为2.0 nC，使得它在开关转换过程中损耗小，适用于高频应用场景。
高效的热管理：TPH11003NL的通道至壳体热阻为5.95 °C/W，通道至环境热阻在不同条件下分别为44.6 °C/W和78.1 °C/W，确保了在高功率条件下的稳定性和可靠性。
2. 适用领域
TPH11003NL广泛应用于各类需要高效电源转换的设备中，例如
DC-DC转换器：TPH11003NL的低导通电阻和快速开关速度使得它能够有效减少转换损耗，提升系统效率。
开关电压调节器：其增强型设计（阈值电压Vth为1.3到2.3V）确保了MOSFET的开关动作迅速且稳定，从而适应复杂的电压调节需求。
此外，其低漏电流特性（最大10 µA）和高抗干扰能力使得该器件在高精度应用中表现尤为出色。
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| 文件名 | 大小 |
| TPN11003NL_datasheet_en_9.pdf | 235K |
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