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Toshiba东芝TPHR9003NL MOSFET产品规格书datasheet

更新时间：2024-09-11 15:08:51 大小：391K 上传用户：Alin13查看TA发布的资源 标签：toshibatphr9003nlmosfet 下载积分：0分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

应用领域

TPHR9003NL 主要用于电压调节器和DC-DC 转换器。这些设备广泛存在于移动设备、电源系统和通信基础设施中，MOSFET 的高效开关能力有助于降低系统的功耗并提高转换效率。此外，它还能够应用于汽车电子、工业控制以及各种嵌入式系统中，适应各种不同环境的需求。

2. 关键特性

TPHR9003NL 的成功在于其出色的电气性能和结构设计。以下是该器件的几个关键特性：

  • 高速开关：该 MOSFET 具有极快的开关速度，使其在需要快速响应的应用中表现出色。

  • 低栅极电荷：典型值为 16 nC。较低的栅极电荷意味着更低的驱动损耗，从而提高了整个系统的效率。

  • 低漏源导通电阻 (RDS(ON))：在 VGS=4.5V 的情况下，典型值为 1.1 mΩ。这一特性减少了传导损耗，有助于提高设备的能源利用率。

  • 低漏电流：最大值仅为 10 µA，表明其在高压环境下漏电流的影响非常小，进一步提高了系统的稳定性和可靠性。

  • 增强模式：其阈值电压范围在 1.3 V 至 2.3 V 之间，确保了 MOSFET 在开启状态时能够有效控制电流。

这些特性使得 TPHR9003NL 能够在高效能系统中发挥重要作用，特别是在需要高速切换和低功耗的应用中。

3. 结构和封装

TPHR9003NL 采用了SOP Advance封装，其设计考虑了在有限的空间内提供良好的热管理和电气性能。该封装有以下优势：

  • 尺寸紧凑：适用于空间有限的设计，特别是那些需要高度集成的电路。

  • 低热阻：在 Tc = 25°C 时，沟道到外壳的热阻为 1.60°C/W，确保了 MOSFET 在高功率操作时能够有效散热。

  • 重量轻：约 0.087 克，适合于轻量化设计需求。

这种封装设计使得 TPHR9003NL 在提供高性能的同时，也能够适应紧凑的电子设备。

4. 绝对最大额定值

根据产品规格，TPHR9003NL 的一些关键最大额定值包括：

  • 漏-源电压 (VDSS)：最大 30 V

  • 栅-源电压 (VGSS)：最大 ±20 V

  • 漏极电流 (ID)：在 Tc=25°C 时，最大 220 A（DC），60 A（脉冲）

  • 功率耗散：最大值为 78 W，表明其能够在较高功率的应用中稳定运行。

此外，TPHR9003NL 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，使其在各种极端环境下均能保持可靠的性能。


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TPHR9003NL_datasheet_en_10.pdf 391K

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