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TL431中基准补偿电路
资料介绍
在TL431双极性工艺的电路中,为了提高该器件输出基准电压的稳定性和精准性,在传统带隙基准电路的基础上,通过采用调节电阻值获得指数曲率、二阶非线性补偿方法和加权电阻修正网络对精度的补偿方法,对基准源进行温度补偿和精准度补偿.通过对电路模拟仿真,计算出调整后的温度系数为24.77 ppm/℃,然后对调整精度基准电路后的芯片进行实际参数测试试验.分析得出在精度为±0.5%的情况下,良品率达到96%.因此得出,该TL431中基准补偿电路能够获得低温度系数和高精度的设计指标.
In the TL431 circuit with bipolar technology,in order to improve the stability and accuracy of the output refer-ence voltage of the TL431 circuit,the temperature compensation and accuracy compensation of the bandgap reference source arecarried out with the exponential curvature and secondary-order nonlinear compensation obtained by adjusting the resistance,andaccuracy compensation by weighted resistance correction network based on traditional bandgap reference circuit. The adjustedtemperature coefficient of 24.77ppm/℃ was obtained by circuit simulation. The paramter test of the chip whose accuracy refer-ence circuit was adjusted was executed. The analysis indicates that the yield exceeds 96% in the accur...
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| TL431中基准补偿电路.pdf | 6M |
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