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TOSHIB东芝TK49N65W5 MOSFET产品规格书datasheet
资料介绍
低漏源导通电阻（RDS(ON)）： TK49N65W5在标准条件下（VGS = 10 V, ID = 24.6 A）的典型RDS(ON)值仅为0.051 Ω。这种低电阻确保了操作期间的功率损耗最小化，对于高效能电源和转换器至关重要。
快速反向恢复时间： TK49N65W5的典型反向恢复时间（trr）为145 ns，非常适合高速开关应用。这一特性降低了开关损耗，提升了系统的整体效率，非常适用于需要快速响应时间的电力电子产品。
高电压和电流处理能力： 该MOSFET可以承受高达650 V的漏源电压（VDSS）和在25°C下49.2 A的连续漏电流（ID）。这些规格使其在广泛的高压应用中表现出色，包括工业电源、马达驱动和可再生能源系统。
热性能： TK49N65W5具备优异的热特性，其通道到壳体的热阻（Rth(ch-c)）为0.313°C/W。这种特性使得热量可以有效散发，确保MOSFET即使在高负载条件下也能可靠运行。
增强型工作模式： 该MOSFET的栅极阈值电压（Vth）范围为3到4.5 V，易于控制和集成到各种栅极驱动电路中。对于需要精确控制MOSFET开关的复杂系统设计，这一灵活性非常有利。
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| TK49N65W5_datasheet_en_10.pdf | 254K |
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