SJ 50033_195-2018 半导体分立器件 3DA5665型硅NPN高频大功率开关晶体管详

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资料介绍

SJ 50033_195-2018 半导体分立器件 3DA5665型硅NPN高频大功率开关晶体管详细规范范围本规范规定了3DA5665型硅NPN高频大功率开关晶体管（以下简称器件）的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和使用。规范性引用文件下列文件中的条款通过本规范的引用而成为本规范的条款，凡是注国期的引用文件，其随后所有的修改单（不包含勘误的内容）或修订版均不适用于木规范，然而，鼓励提据本规范达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新质将还用于本规范。 GB/T 4587-1694 GB/T 75811987半导体分立器件外形尺寸 GB 12308-1990功率晶体管安全工作区测试方法 GJB 334-199半导体分立器件总规范 GJB 12A1997半导体分立器件试验方法 GJB 548，微电子器件试验方法和程序 3要求半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型体ン 3.1总则器件应符合本规范和GJB 33A-1997规定的所有要求。本规范的要求与GB33-1997不一致时，应以本规范为准。 3.2 设计、结构和外形尺寸 3.2.1 引出端镀涂层引出端镀涂层应按GJB 33A-1997中3.8.1的规定。 3.2.2 器件结构器件采用硅外延平面结构。 3.2.3 外形尺寸 3DA5665采用TO-66型金属封装，外形尺寸见图1。 A1目的本试验的目的是确认老炼和寿命试验环境下双极型晶体管的稳态工作寿命试验条件能否使结温（Tj）是否达到了规定的数值。 A.2 设备要求测试设备能在受控的温箱、温槽内或热板上，在所要求的7下测量被试器件样本的温度敏感参数（TSP）。 A.3 程序 A.3.1 确认器件在规定结温下的TSP A.3.1，1 通则采用一选定的小测量电流。该电流用于TSP测量，而不会产生有效的自热。TSP取样的占空比应不大于加热时间（M）的1%。应尽量采用与试验环境条件下所使用功率的模式相同的功率或加热电流（I）被试器件的结构应与进行老炼和寿命试验的器件的结构相同，除另有规定外，应至少抽取5只器件进行测量. A.3.1.2 确定要求的结温首先确定老炼或寿命试验所要求的结温。对于军用器件的老炼筛选，最低结温应按相应的详细规范规定。除另有规定外，最高结温应为被试器件的额定最高结温。 A.3.1.3 达到规定的结温应在独立的温度受控的温箱、温槽中或热板上将结温控制到规定值，允差为士2K（或按要求）。 A.3.1.4 记录TSP在被试器件放入并达到热平衡后，应采用小的稳定测量电流（Iu）记录一系列的TSP。这些TSP应为品体管的基极-发射极电压（VBE）。A的大小应大至足以保证Vn的测量，但不得大至足以产生有效的自热。 A.3.2 寿命试验时器件的安装被试器件的样本应用插座安装在试验环境中，插座应分别处于试验环境最冷与最热的关键区域以核实7.样本中也应包括为重现相同的累积热效应而安装于功率试验环境中的所有其他器件。被试器件所使用的插座，其结构还应与试验环境中使用的所有其他插座的结构相同。被试器件应与TSP测量设备进行电气连接，该测量设备需要一组开尔文检测线用以监测结电压。这些检测线的连接应使散热效应减至最小。 A.3.3.2 施加电流和功率对所有器件施加相同的加热电流或等效的有效值功率。稍微增大加热电流，采用对每一只被试器件同时监测一次TSP. 注：随着刀的增大，TSP测试值（k）会减小。 A.3.3.3 规定结温下的TSP A.3.3.3.1 概述重复A.3.3.2，直至对试验环境中的所有器件施加相同等效的电流或有效值功率后，测出的TSP与A.3.3.2中TSP的测试值相同。应记录每只被试器件达到此所要求的T；值所施加的功率，并且计算所有被试器件的平均功率，并作为A.3.4.4的老炼或寿命试验中对每只器件所施加的功率数值。