积分商城

最新搜索： ispLEVER ESAM sonar STM8S003 BRIGHTEK 电解电容封装库
您现在的位置是：首页 > 技术资料 > SJ1978-1981 N沟道结型场效应半导体管 CS5型高频场效应半导体管
推荐星级：
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5

SJ1978-1981 N沟道结型场效应半导体管 CS5型高频场效应半导体管

更新时间：2024-06-19 21:58:28 大小：140K 上传用户：xuzhen1查看TA发布的资源 标签：场效应半导体管 下载积分：2分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

SJ1978-1981 N沟道结型场效应半导体管 CS5型高频场效应半导体管

  1. 本标准适用于CS 5型N沟道结型场效应半导体管（以下简称产品）。该产品用于电子设备放大电路中。

2.该产品除应符合本标准规定外，还应符合SJ 614-73《半导体三极管总技术条件》的规定。

3.产品的外形和结构尺寸应符合SJ 139-78《半导体三极管外形尺寸》中S-2型的规定，并且引线排列顺序应为S（E）、D（B）、G（C）。

4.电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法应符合SJ 1949~1973-81《场效应半导体管测试方法》的规定。

5.环境试验后，按顺序测量下列电参数：

（1）栅源短路时漏极电流Inss

（2）栅源截止电压VGs（off）

（3）正向跨导9ys；

（4）栅极截止电流JGss：

（5）栅源击穿电压V（BR）GSS。

其中Ipss、VGs（o/f）、9/s的相对变化不得超过士30%，IGss、V（BR）Gss不得超过规范值。

6.额定功率试验条件：按功率P进行。

7.高温贮存试验条件：按Tim=125± 3℃进行。

8.额定功率和高温贮存试验后，按下列标准考核：

（1）Iess的相对变化不得超过士30%；

（2）VGs（off）的相对变化不得超过士30%；

（3）9rs的相对变化不得超过±30%。

9.本标准参数规范的仲裁条件

环境温度

25± 2℃；相对湿度

65±5%；气压

650mmHg ~800mmHg

10.生产单位应在产品说明书中提供以下特性曲线：

（1）输入特性曲线；

（2）转移特性曲线

（3）转移特性随温度变化的曲线；

（4）跨导与漏极电流特性曲线。

11.生产单位应在产品说明书中提供工艺筛选项目和筛选条件。

12.Ipss<20mA的产品分档误差不得超过±10%，IDss<40mA的产品分档误差不得超过±5%。


部分文件列表

文件名 大小
SJ1978-1981_N沟道结型场效应半导体管_CS5型高频场效应半导体管.pdf 140K

【关注视频号领20积分】   【关注公众号立即送20积分】

相关下载

全部评论(0)

暂无评论
评论赚积分>>

上传资源 上传优质资源有赏金

热门标签

更多>>

最新上传

  • 打赏
  • 30日榜单

热门下载

推荐下载

本站上的所有资源均为源于网上收集或者由用户自行上传，仅供学习和研究使用，无任何商业目的，版权归原作如有侵权，请 来信指出，本站将立即改正。

ICP许可证号：京ICP证070360号     21IC电子网 2000- 版权所有

京ICP备11013301号

京公网安备 11010802024343号