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SJ1978-1981 N沟道结型场效应半导体管 CS5型高频场效应半导体管

更新时间：2024-06-19 21:58:28 大小：140K 上传用户：xuzhen1查看TA发布的资源 标签：场效应半导体管 下载积分：2分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

SJ1978-1981 N沟道结型场效应半导体管 CS5型高频场效应半导体管

  1. 本标准适用于CS 5型N沟道结型场效应半导体管（以下简称产品）。该产品用于电子设备放大电路中。

2.该产品除应符合本标准规定外，还应符合SJ 614-73《半导体三极管总技术条件》的规定。

3.产品的外形和结构尺寸应符合SJ 139-78《半导体三极管外形尺寸》中S-2型的规定，并且引线排列顺序应为S（E）、D（B）、G（C）。

4.电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法应符合SJ 1949~1973-81《场效应半导体管测试方法》的规定。

5.环境试验后，按顺序测量下列电参数：

（1）栅源短路时漏极电流Inss

（2）栅源截止电压VGs（off）

（3）正向跨导9ys；

（4）栅极截止电流JGss：

（5）栅源击穿电压V（BR）GSS。

其中Ipss、VGs（o/f）、9/s的相对变化不得超过士30%，IGss、V（BR）Gss不得超过规范值。

6.额定功率试验条件：按功率P进行。

7.高温贮存试验条件：按Tim=125± 3℃进行。

8.额定功率和高温贮存试验后，按下列标准考核：

（1）Iess的相对变化不得超过士30%；

（2）VGs（off）的相对变化不得超过士30%；

（3）9rs的相对变化不得超过±30%。

9.本标准参数规范的仲裁条件

环境温度

25± 2℃；相对湿度

65±5%；气压

650mmHg ~800mmHg

10.生产单位应在产品说明书中提供以下特性曲线：

（1）输入特性曲线；

（2）转移特性曲线

（3）转移特性随温度变化的曲线；

（4）跨导与漏极电流特性曲线。

11.生产单位应在产品说明书中提供工艺筛选项目和筛选条件。

12.Ipss<20mA的产品分档误差不得超过±10%，IDss<40mA的产品分档误差不得超过±5%。


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SJ1978-1981_N沟道结型场效应半导体管_CS5型高频场效应半导体管.pdf 140K

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