积分商城

最新搜索： 8051 ip C8051F310 STM32Cube高效开发教程 基础篇 多旋翼 英飞凌 PROFET™ +简介 自动对焦程序
您现在的位置是：首页 > 技术资料 > SiC肖特基二极管在升压斩波电路中的应用分析
推荐星级：
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5

SiC肖特基二极管在升压斩波电路中的应用分析

更新时间：2020-05-19 01:36:15 大小：231K 上传用户：zhiyao6查看TA发布的资源 标签：sic肖特基二极管 下载积分：5分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

对碳化硅（SiC）肖特基二极管（SBD）在升压斩波电路中的应用进行了深入研究。实验中分别对普通Si二极管和SiC SBD进行了比较,结果表明,SiC二极管具有良好的动态特性,其反向恢复电流约为普通Si二极管的1/4,同时对IGBT开通时的电流过冲有很好的抑制作用。此外,对载流子寿命对二极管反向恢复的影响进行了仿真分析,结果表明,缩短少数载流子寿命能很好地抑制反向恢复电流峰值,减小反向恢复时间。

The application of SiC Schottky diode in the Boost chopper DC converter is researched in-depth.The experiment uses the ordinary Si diode and the SiC Schottky diode for comparison.Experimental results show that the SiC Schottky diode has a good dynamic performance,the reverse recovery current is smaller than the Si diode aver-age of about 4 times and has good inhibitory for the IGBT turn-on current overshoot.In addition,the effect of carrier lifetime to the diode reverse recovery is analyzed,simulation results show that shorten the carrier lifetime can reduce the peak reverse recovery current and reverse recovery time.

部分文件列表

文件名 大小
SiC肖特基二极管在升压斩波电路中的应用分析.pdf 231K

【关注视频号领20积分】   【关注公众号立即送20积分】

相关下载

全部评论(0)

暂无评论
评论赚积分>>

上传资源 上传优质资源有赏金

热门标签

更多>>

最新上传

  • 打赏
  • 30日榜单

热门下载

推荐下载

本站上的所有资源均为源于网上收集或者由用户自行上传，仅供学习和研究使用，无任何商业目的，版权归原作如有侵权，请 来信指出，本站将立即改正。

ICP许可证号：京ICP证070360号     21IC电子网 2000- 版权所有

京ICP备11013301号

京公网安备 11010802024343号