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使用MOSFET防止电池反装
资料介绍
使用MOSFET防止电池反装并提高电池续航寿命
简介
在低电压的应用中，常见的是用如图1所示的反向保护二极管来防止电池反装，但是由于二极管的导通压降，使负载上的电压降低。这就会比较明显的影响电池续航的寿命。由于大多数的电子负载的功耗是不变的，负载上的电压减少就会使电流增大并使电池更快速的放电。而且，二极管上的功率耗散也会减少电路的效率。
具有Low-threshold的HEXFET组成的电池反装保护电路
图2所示的电路使用一个MOSFET实现电池反装保护。当电池连接到电路后，MOSFET的体二极管开始导通电流。负载电压，也就是MOSFET的栅源极电压（Vgs），等于Vb-Vd。其中Vd是MOSFET在给定负载情况下的体二极管的电压跌落。
当负载上的电压出现后，MOSFET导通，并且将体二极管短路。此时MOSFET上的电压降为Rds(on)×Iload。这个值远小于体二极管的压降。
部分文件列表
| 文件名 | 大小 |
| 使用MOSFET防止电池反装并提高电池续航寿命_en.pdf | 94K |
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