积分商城

最新搜索： STM8 lan9252与stm32的EtherCAT从站实现 HI3559 Keil 雷达 2.4G感应灯电路
您现在的位置是：首页 > 技术资料 > LQ10N200CQ-汽车
推荐星级：
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5

LQ10N200CQ-汽车

更新时间：2019-09-26 15:04:04 大小：473K 上传用户：21ic子站宣传员查看TA发布的资源 标签：Qspeed汽车认证二极管 下载积分：0分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

用于音频汽车应用的200 V，10 A共阴极二极管


部分文件列表

文件名 大小
lq10n200cq_datasheet.pdf 473K

【关注B站账户领20积分】

部分页面预览

（完整内容请下载后查看）
LQ10N200CQ  
Qspeed™ Automotive Family  
200 V, 10 A Common-Cathode Diode for  
Audio Automotive Applications  
Product Summary  
General Description  
This device has the lowest QRR of any 200 V  
Silicon diode. Its recovery characteristics  
increase efficiency, reduce EMI and eliminate  
snubbers.  
IF(AVG) per diode  
5
A
V
VRRM  
200  
32.4  
2.6  
QRR (Typ at 125 °C)  
IRRM (Typ at 125 °C)  
Softness tb/ta (Typ at 125 °C)  
nC  
A
0.39  
Applications  
• Automotive  
• AEC-Q101 qualified  
Pin Assignment  
• Fab, assembly and test certified to IATF 16949  
• ESD HBM classification H0  
Features  
• Low QRR, Low IRRM, Low tRR  
• Soft recovery  
TO-252 DPAK  
LQ10N200CQ  
Benefits  
• Increases efficiency  
• Eliminates need for snubber circuits  
• Reduces EMI filter component size and count  
• Enables extremely fast switching  
A1  
K
A2  
RoHS Compliant  
Package uses Lead-free plating and “Green” mold  
compound Halogen free per IEC 61249-2-21.  
Absolute Maximum Ratings  
Absolute maximum ratings are the values beyond which the device may be damaged or have its useful life impaired. Functional  
operation under these conditions is not implied.  
Symbol Parameter  
Conditions  
Rating  
Units  
VRRM  
Peak repetitive reverse voltage  
TJ = 25 °C  
200  
5
V
A
A
A
IF(AVG)  
Average forward current  
Per Diode, TJ = 150 °C, TC = 130 °C  
Per Device, TJ = 150 °C, TC = 130 °C  
Per Diode, 60 Hz, ½ cycle  
10  
60  
IFSM  
IFSM  
Non-repetitive peak surge current  
Non-repetitive peak surge current  
Per Diode, ½ cycle of t = 28 µs  
Sinusoid, TC = 25 °C  
350  
A
TJ  
Operating junction temperature range  
Storage temperature  
–40 to 150  
–55 to 150  
300  
°C  
°C  
°C  
W
TSTG  
Lead soldering temperature  
Power dissipation  
Leads at 1.6mm from case, 10 sec  
TC = 25 °C  
PD  
27.7  
Thermal Resistance  
Symbol Resistance from:  
Conditions  
Per Diode  
Rating  
4.5  
Units  
°C/W  
°C/W  
RθJC  
Junction to case  
Per Device  
2.3  
www.power.com  
March 2019  

相关下载

全部评论(0)

暂无评论
评论赚积分>>

上传资源 上传优质资源有赏金

热门标签

更多>>

最新上传

  • 打赏
  • 30日榜单

热门下载

资料专题

推荐下载

本站上的所有资源均为源于网上收集或者由用户自行上传，仅供学习和研究使用，无任何商业目的，版权归原作如有侵权，请 来信指出，本站将立即改正。

ICP许可证号：京ICP证070360号     21IC电子网 2000- 版权所有

京ICP备11013301号

京公网安备 11010802024343号