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IPB100P03P3L-04 P沟道低Rds大电流MOS管
资料介绍
这是一种P沟道的大电流MOS管，主要特性是其极小的Rds（只有4mΩ），通电电流可达-100A，封装有PG-TO263-1、PG-TO263-2和PG-TO220-1，三种 ...
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| IPB100P03P3L-04中文资料.pdf | 194K |
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资料：bitboy
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