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IC＋MOS组合电路封装漏电机理探讨

更新时间：2020-09-19 05:06:12 大小：1M 上传用户：守着阳光1985查看TA发布的资源 标签：电路封装漏电 下载积分：1分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

通过对IC＋MOS电路组合特点的讨论,重点对MOSFET晶圆前制程中的缺陷、封装过程的外力损伤缺陷等对封装后产品漏电现象的影响进行了探讨,以期通过制程控制和过程缺陷分析,为MOSFET封装在品质保证上提供保证。

By IC ＋ MOS circuit combination characteristic,The article focus on： MOSFET wafer process before the flaws of external force damage,encapsulation process of packaging products such as leakage effect were discussed; In order to,through the analysis of the process and process defects on the MOSFET encapsulation quality guarantee to provide the reference.

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