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高频电容器充电电源绝缘栅双极晶体管吸收电路设计
资料介绍
前言 为了增加电源功率的密度,务必采用将双极晶体管吸收电路高频化的手段。电容器电源中的开关器件的安全是一个很重要的问题,为了保证它的安全。务必采用以串联谐振式所组成的电容器,并以它的充电电源为基础。本文研究了影响IGBT的因素,并研究了对于尖峰电压的取值。本文首先介绍了尖峰电压的简单产生机理,随后对抑制尖峰电压的几种方法做了简单描述,然后简单介绍了吸收电路,最后介绍了吸收电路的基本的工作思路。
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| 高频电容器充电电源绝缘栅双极晶体管吸收电路设计.pdf | 99K |
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