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一种高精度过温保护电路的设计

更新时间：2020-07-05 05:33:23 大小：231K 上传用户：守着阳光1985查看TA发布的资源 标签：过温保护电路 下载积分：5分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

基于UMC 0.25μm BCD工艺，设计了一款高精度过温保护电路。通过基准电路中三极管的基极-发射极电压的负温度特性实现温度检测，调节电阻的比值产生迟滞温度量，避免了电路热振荡现象。经过HSPICE仿真验证，电路在温度130℃时，过温保护信号发生翻转，关断芯片，待温度降低到99℃时再次开启，具有31℃迟滞量。在电源电压变化时，过温保护电路的过温阈值和迟滞温度漂移量最大仅为0.24℃偏差。

Based on UMC 0.25 μm BCD technology,a high precision thermal-shutdown circuit is proposed. The temperature detection is achieved by using the negative temperature characteristic of transistor’s base-emitter voltage of bandgap reference. The hysteresis temperature is produced by adjusting the ratio of resistance to avoid the phenomenon of thermal oscillation. By simulation and verification with HSPICE,the thermal-shutdown output reverses to shut down the chip when the temperature reaches 130℃,and return to normal working when the temperature drops to 99℃. The amount of hysteresis temperature is 31℃. The thermal shutdown threshold and hysteresis temperature have a maximum drift error of only 0.24℃when supply voltage changes.

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