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集成电路制造工艺之光刻与刻蚀工艺
资料介绍
光刻是集成电路工艺中的关键性技术。在硅片表面涂上光刻胶薄层，经过光照、显影，在光刻胶上留下掩模版的图形。
在集成电路制造中，利用光刻胶图形作为保护膜，对选定区域进行刻蚀，或进行离子注入，形成器件和电路结构。
随着集成电路的集成度不断提高，器件的特征尺寸不断减小，期望进一步缩小光刻图形的尺寸。
目前已经开始采用线宽为0.2-0.1μm的加工技术。
①高分辨率。通常把线宽作为光刻水平的标志，线宽越来越细，要求光刻具有高分辨率。
②高灵敏度的光刻胶。光刻胶的灵敏度通常是指光刻胶的感光速度。光刻胶灵敏度提高，曝光时间短，但往往使光刻胶的其他属性变差。
③低缺陷。在集成电路芯片的加工进程中，如果在器件上产生一个缺陷，即使缺陷的尺寸小于图形的线宽，也可能会使整个芯片失效。
④精密的套刻对准。集成电路芯片的制造需要经过多次光刻，在各次曝光图形之间要相互套准。通常要采用自动套刻对准技术。
⑤对大尺寸硅片的加工。为了提高经济效益和硅片利用率，一般在一个大尺寸硅片上同时制作很多个完全相同的芯片。对于光刻而言，在大尺寸硅片上满足前述的要求难度更大。
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