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GBT 30001.2-2013 信息技术 基于射频的移动支付 第2部分：卡技术要求
资料介绍
GBT 30001.2-2013 信息技术 基于射频的移动支付 第2部分：卡技术要求
GB/T 30001《信息技术 基于射频的移动支付》分为五个部分：第 1 部分：射频接口；第 2 部分：卡技术要求；第 3 部分：设备技术要求；第4 部分：卡应用管理和安全；
——第 5 部分：射频接口测试方法。
本部分为GB/T 30001 的第 2部分。
本部分按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本部分由全国信息技术标准化技术委员会（SAC/TC 28）提出并归口，
范围
GB/T 30001的本部分规定了RFMPC技术要求，包括RFMPC的结构和技口方式等.
本部分适用于RFMPC的设计、生产和检验。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。
GB/T 7421-2008 信息技术 系统间远程通信和信息交换 高级数据链路控制（HDLC）规程
（ISO/IEC 13239，2002，IDT）
GB/T 16649.3-2006 识别卡 带触点的集成电路卡 第 3 部分：电信号和传输协议（ISO/
IEC 7816-3；1997，IDT）
GB/T 30001.1 信息技术 基于射额的移动支付第1部分：射频接口3 术语和定义
GB/T 30001.1 界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
3.1基于射频的移动支付终端 RF-based mobile payment terminal能够支持 RFMPC功能的移动通信终端设备，可通过射频接口与 RFMPD进行通信，实现非接触支付功能。
4符号和缩略语
4.1符号
下列符号适用于本文件。
f：工作场的频率（载波频率）。
f-i单线接口信号载披频率.
4.2缩略语
下列缩略语适用于本文件
ACT：激活协议（Activation Protocol）
CLF，非接触前端（Contactless Frontend）
CLT：非接触通道（Contactless Tunnelling）
Micro SD：微型安全数字存储卡（Micro Secure Digital Memory Card）.
A.1单线协议
单线协议是CLF和SE之间通过一条信号线通讯的接口协议，用于连接CLF和SE实现非接触卡片模拟功能。
在一个共地的系统中，为了支持不同的电源模式，CLF和SE之间除了单条信号线外，还有一条电源线。
A.2 单线协议接口原理
单线协议接口原理如图 A.1 所示，CLF 是主器件，SE 是从器件。白 CLF 至 SE 的 SI 信号用电压表示，自 SE 至CLF的S2信号用电流表示，S2信号仅在 S1信号处于高电平期间有效.
SWTO输出$2
SWIO物入
CLF
（主器件）SISE
（从器件）GNDGND图 A.1 单线协议接口原理图
A.3物理特性
A.3.1 SE 载体工作温度范围
SE载体工作温度范围应符合未增加单线协议接口的SE产品所遵循的规范要求A.3.2 触点
SE载体在保持原产品触点兼容的基础上，增加单线接口SWIO引脚触点和电源接口SEVCC引脚触点，根据SE载体不同及对低功耗工作模式的要求，SEVCC引脚可与原SE载体接口的电源引脚共用或单独新增。
A.3.3 SWIO 激活和退活
SEVCC未上电，RFMPT应保持 SWIO处于非激活状态（S1信号保持低电平）
SEVCC上电后，终端设置 SWIO 引脚由低电平跳变到高电平，激活 SWIO，SWIO 退出激活状态见 A.5，3.A.4 电气特性
A.4.1 工作条件
SI 信号的电平见图 A.2.
部分文件列表
| 文件名 | 大小 |
| GBT_30001.2-2013_信息技术_基于射频的移动支付_第2部分：卡技术要求.pdf | 2M |
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