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第三代半导体之GaN研究框架
资料介绍
5G 通信对射频前端有高频、高效率等严格要求，数据流量高速增长使得调制解调难度不断增加，所需的频段越多，对射频前端器件的性能要求也随之加高；载波聚合技术的出现，更是促使移动基站、智能手机对射频前端器件的需求翻倍，给 GaN 发展带来新契机。
GaN 作为一种宽禁带材料，和硅等传统半导体材料相比，能够在更高压、更高频、更高温度的环境下运行。仍结构上看，Si 是垂直型的结构，GaN 是平面型的结构，这也使得 GaN 的带隙远大于 Si。
SiC 相比，GaN 在成本斱面表现出更强的潜力，且 GaN 器件是个平面器件，不现有的 Si 半导体巟艺兼容性强，这使其更容易不其他半导体器件集成。
GaN 具备带隙大（3.4eV）、绝缘破坏电场大（2×106V/cm）及饱和速度大（2.7×107cm/s）等 Si 及 GaAs 丌具备的特点。由于容易实现异质结构，因此在 LED、半导体激光器、高频及高功率元器件等领域的应用丌断扩大。
目前市场上 GaN 晶体管主流的衬底材料为蓝宝石、SiC 和 Si，GaN 衬底由于工艺、成本问题尚未得到大规模商用。蓝宝石衬底一般用于制造蓝光 LED，通常采用 MOCVD 法外延生长 GaN。
部分文件列表
| 文件名 | 大小 |
| 方正证券-电子行业专题报告：第三代半导体之GaN研究框架-201206.pdf | 4M |
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