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EEPROM、EPROM、FLASH、SRAM、DRAM、SDRAM的区别

更新时间：2018-06-11 22:44:35 大小：4K 上传用户：潜力变实力查看TA发布的资源 标签：eepromepromflashsramdram 下载积分：0分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(2) 举报

资料介绍

EEPROM,EPROM,FLASH 都是基于一种浮栅管单元(Floating gate transister)的结构。EPROM的浮栅处于绝缘的二氧化硅层中，充入的电子只能用紫外线的能量来激出，EEPROM的单元是由FLOTOX(Floating- gate tuneling oxide transister)及一个附加的Transister组成，由于FLOTOX的特性及两管结构，所以可以单元读/写。技术上，FLASH是结合EPROM和EEPROM技术达到的，很多FLASH使用雪崩热电子注入方式来编程，擦除和EEPROM一样用 Fowler-Nordheim tuneling。但主要的不同是，FLASH对芯片提供大块或整块的擦除，这就降低了设计的复杂性，它可以不要 EEPROM单元里那个多余的Tansister，所以可以做到高集成度，大容量，另FLASH的浮栅工艺上也不同，写入速度更快。


其实对于用户来说，EEPROM和FLASH 的最主要的区别就是

1。EEPROM 可以按“位”擦写，而FLASH 只能一大片一大片的擦。


部分文件列表

文件名文件大小修改时间
EEPROM、EPROM、FLASH、SRAM、DRAM、SDRAM的区别.txt6KB2012-12-17 21:33:12

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全部评论(2)

  • 2018-06-29 11:08:15靳坤

    资料非常丰富，能学到很多东西。

  • 2018-06-15 10:50:50suxindg

    谢谢分享

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