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EEPROM、EPROM、FLASH、SRAM、DRAM、SDRAM的区别
资料介绍
EEPROM,EPROM,FLASH 都是基于一种浮栅管单元(Floating gate transister)的结构。EPROM的浮栅处于绝缘的二氧化硅层中,充入的电子只能用紫外线的能量来激出,EEPROM的单元是由FLOTOX(Floating- gate tuneling oxide transister)及一个附加的Transister组成,由于FLOTOX的特性及两管结构,所以可以单元读/写。技术上,FLASH是结合EPROM和EEPROM技术达到的,很多FLASH使用雪崩热电子注入方式来编程,擦除和EEPROM一样用 Fowler-Nordheim tuneling。但主要的不同是,FLASH对芯片提供大块或整块的擦除,这就降低了设计的复杂性,它可以不要 EEPROM单元里那个多余的Tansister,所以可以做到高集成度,大容量,另FLASH的浮栅工艺上也不同,写入速度更快。
其实对于用户来说,EEPROM和FLASH 的最主要的区别就是
1。EEPROM 可以按“位”擦写,而FLASH 只能一大片一大片的擦。
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文件名 | 文件大小 | 修改时间 |
EEPROM、EPROM、FLASH、SRAM、DRAM、SDRAM的区别.txt | 6KB | 2012-12-17 21:33:12 |
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资料:bitboy
全部评论(2)
2018-06-29 11:08:15靳坤
资料非常丰富,能学到很多东西。
2018-06-15 10:50:50suxindg
谢谢分享