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易失性存储器
资料介绍
易失性存储器（Volatile Memory）
定义与核心特性
易失性存储器（Volatile Memory）是一类在断电后无法保留存储数据的计算机存储器，与断电后仍可持续保存数据的非易失性存储器（Non-Volatile Memory）形成核心区分。它的核心特性可以总结为两点：一是断电数据丢失，存储器内部存储单元的状态依赖持续供电维持，供电中断后存储单元的电荷或状态会迅速衰减，原有数据彻底消失，无法恢复；二是读写速度快，易失性存储器的访问延迟极低，随机读写性能远优于大多数非易失性存储器，因此成为计算机系统中临时数据缓存与运行程序载体的首选。
工作原理
易失性存储器的存储单元大多依靠电荷存储来表示二进制数据，持续供电是维持电荷稳定的必要条件。以最常见的动态随机存取存储器（DRAM）为例，每个存储单元由一个电容和一个晶体管组成：电容充电到一定阈值表示二进制1，放电后表示0，但由于电容本身存在漏电特性，即使持续供电，电荷也会在几毫秒内衰减，因此需要定期刷新电容电荷来维持数据；断电后没有电源补充电荷，电容电荷瞬间衰减，数据直接消失。
另一种常见的静态随机存取存储器（SRAM），存储单元由六个晶体管组成的双稳态触发器构成，双稳态结构本身不需要刷新就能在持续供电时稳定维持数据状态，读写速度比DRAM更快，但断电后触发器的状态同样会消失，依然属于易失性存储器范畴。
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| 易失性存储器.docx | 15K |
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