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共源极放大电路分析
资料介绍
一、电路基本结构
共源极放大电路是场效应管（FET）放大电路中最基本的组态之一，其核心特征是输入信号加在栅极-源极之间，输出信号从漏极-源极之间取出，源极作为输入回路和输出回路的公共端。典型N沟道增强型MOSFET共源极放大电路结构如下：
· 核心器件：N沟道增强型MOSFET（VT）
· 偏置电路：提供合适的栅源电压（VGS），确保管子工作在放大区
· 输入回路：耦合电容C1隔离直流信号，传递交流输入信号ui
· 输出回路：耦合电容C2隔离直流信号，输出交流信号uo
· 负载元件：漏极电阻RD，将漏极电流变化转换为电压变化
1.1 静态工作点设置
静态工作点（Q点）是电路无输入信号时的直流工作状态，由栅源电压VGSQ、漏极电流IDQ和漏源电压VDSQ三个参数决定。对于自给偏压电路（适用于耗尽型MOSFET），计算公式为：
VGS= -IDRS
对于分压式偏置电路（适用于增强型MOSFET），计算公式为：
VGS= (RG2/(RG1+RG2))VDD- IDRS
结合MOSFET的转移特性方程（增强型）：
ID= Kn(VGS- VGS(th))2（VGS> VGS(th)）
可求解静态工作点参数。
1.2 直流通路与交流通路
直流通路：电容视为开路，电感视为短路。用于分析静态工作点。
交流通路：电容视为短路，直流电源视为短路。用于分析动态性能（放大倍数、输入电阻、输出电阻）。
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