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共漏极放大电路-源极跟随器

更新时间:2026-05-19 12:20:19 大小:17K 上传用户:潇潇江南查看TA发布的资源 标签:放大电路源极跟随器 下载积分:2分 评价赚积分 (如何评价?) 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

一、电路结构与工作原理

共漏极放大电路(Common-Drain Amplifier)是场效应管(FET)基本放大电路的三种组态之一,因输出信号从源极引出,栅极与漏极共同构成输入回路,故又称为源极跟随器(Source Follower)。其核心特征是输出电压跟随输入电压变化,具有输入电阻高、输出电阻低的特点。

1. 基本电路组成

典型N沟道增强型MOSFET共漏极放大电路包括以下元件:

· 场效应管(MOSFET):作为核心放大器件,栅极(G)接输入信号,漏极(D)接直流电源(VDD),源极(S)通过负载电阻(RS)接地。

· 偏置电路:通常由分压电阻(RG1RG2)提供栅极直流电压,确保MOSFET工作在饱和区。

· 源极电阻(RS:既是直流负载,也是交流信号的输出回路。

· 耦合电容(C1C2:隔离直流信号,传递交流信号。

2. 工作原理

输入信号(ui)通过耦合电容C1加到栅极,使栅源电压(uGS)随输入信号变化。根据MOSFET的转移特性,漏极电流(iD)受uGS控制,进而导致源极电阻RS两端电压(uo)变化。由于输出电压uo= uGS- VGGVGG为栅极偏置电压),故uoui同相且幅度接近,实现“跟随”功能。


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