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光电导效应原理.
资料介绍
光电导效应是一种重要的光电现象，指在光的照射下，某些材料的电导率发生变化的现象。这种效应广泛应用于光探测、光电成像、光通信等领域，是现代光电子技术的基础之一。
一、基本原理
光电导效应的物理本质是光辐射与材料中载流子的相互作用。当光照射到半导体或绝缘体材料上时，光子能量被材料吸收，使束缚态的电子获得能量跃迁到导带，同时产生空穴，导致材料中载流子浓度增加，电导率升高。其电导率变化公式可表示为：
σ = σ0+ Δσ
其中，σ为光照后的电导率，σ0为暗电导率，Δσ为光致电导率变化量。Δσ与光强、量子效率、载流子迁移率及寿命等参数相关。
二、主要特性参数
1. 光谱响应
材料对不同波长光的响应能力，通常用光谱响应曲线表示。长波限λc由材料禁带宽度Eg决定：λc= hc/Eg（h为普朗克常数，c为光速）。
2. 光电导增益
表示一个光子产生的载流子在电极间被收集的次数，计算公式为G = τ/τt，其中τ为载流子寿命，τt为载流子渡越时间。
3. 响应时间
包括上升时间和下降时间，反映材料对光信号变化的跟随速度，主要取决于载流子寿命和器件结构。
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