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共栅极电路分析
资料介绍
电路基本结构
共栅极电路（Common Gate Amplifier）是场效应管（FET）三种基本放大电路组态之一，其核心特征是栅极作为公共端，信号从源极输入、漏极输出。典型N沟道增强型MOSFET共栅极电路结构如下：
· 输入端口：信号通过耦合电容C1接入源极（S）
· 输出端口：信号通过耦合电容C2从漏极（D）输出
· 偏置电路：由Rg提供栅极接地偏置，Rd为漏极负载电阻，Rs为源极电阻
· 直流隔离：C1、C2实现输入输出端的直流隔离，C3为源极旁路电容
1. 直流偏置分析
栅极通过Rg接地，源极电压Vgs = -Is·Rs（N沟道MOSFET），通过合理设计Rs和Rd，使电路工作在饱和区，满足：
Vds > Vgs - Vth（其中Vth为阈值电压）
2. 信号放大过程
· 输入信号vi使源极电压变化，导致Vgs变化
· Vgs变化控制漏极电流Id（Id = gm·Vgs，gm为跨导）
· Id在负载电阻Rd上产生输出电压vo = Id·Rd
· 实现电压放大，且输入输出信号同相
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