积分商城

最新搜索： stm32 12864 RK_EVB_1808_LP3D178P132SD6_V11_20181107.dsn 激光雷达技术 光电半导体 imx07 CCS 6
您现在的位置是：首页 > 技术资料 > CMOS电路场区抗辐照加固工艺研究
推荐星级：
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5

CMOS电路场区抗辐照加固工艺研究

更新时间：2020-10-26 14:34:39 大小：748K 上传用户：zhengdai查看TA发布的资源 标签：cmos 下载积分：1分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

CMOS电路场氧区对辐照高度敏感,场寄生管的阈值电压易在辐照下产生漂移并导通,从而引起电路漏电流增大。为有效地降低辐照后场区正电荷累积,提高场区抗辐照性能,使辐照后电路漏电流增加值降低,采用二氧化硅与氮化硅复合场介质制造工艺,通过比较新工艺与常规场氧加固工艺条件下电路漏电流的变化来对比两者的抗电离辐照性能,并给出了试验数据。研究结果表明,采用二氧化硅与氮化硅复合场介质能够有效的抑制辐照引起的漏电流增大,提高场区抗辐照性能,进而提高整体电路的抗辐照性能。

The field oxygen region of CMOS circuit is highly sensitive to irradiation,and the threshold voltage of field parasitic transistor is easy to drift and turn on under irradiation,thus causing circuit leakage current to increase.In order to effectively reduce the accumulation of positive charges in the field after radiation,improve the radiation hardening characteristic of the field area,and reduce the added value of the leakage current of the circuit after radiation,SiO2-Si3N4 composite field layer manufacturing process is used,and the ionization radiation resistance of the new process and the circuit leakage current under the condition of conventional field oxygen reinforcement process are compared,with the experimental data been given.The results show that the SiO2-Si3N4 composite layer can effectively inhibit the increase of leakage current caused by radiation,improve the radiation hardening performance of the field,and further improve the radiation hardening performance of the whole circuit.

部分文件列表

文件名 大小
CMOS电路场区抗辐照加固工艺研究.pdf 748K

【关注视频号领20积分】   【关注公众号立即送20积分】

相关下载

全部评论(0)

暂无评论
评论赚积分>>

上传资源 上传优质资源有赏金

热门标签

更多>>

最新上传

  • 打赏
  • 30日榜单

热门下载

推荐下载

本站上的所有资源均为源于网上收集或者由用户自行上传，仅供学习和研究使用，无任何商业目的，版权归原作如有侵权，请 来信指出，本站将立即改正。

ICP许可证号：京ICP证070360号     21IC电子网 2000- 版权所有

京ICP备11013301号

京公网安备 11010802024343号