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CMOS模拟集成电路习题集
资料介绍
已知：VDD=5V，lo=100uA，信号源内阻Rs=2K要求：Ave-60dB（即1000倍），输出摆幅≥2.5V一、参数估算
1.根据输出摆幅和增益确定各MOS管的过驱动电压Von：
VonN1+Vom2+ Vap1 +Vonp2≤2.5取VomN1*0.2，Vonx2=0.4，Voapl=0.7，Vonp2~0.5，
2.估算静态偏值电压为：
Vin = VoaNI+Vr1-0.2+0.5815=0.7815，VblsVoaxi+VanN2+VaN2=0.2+0.4+0.5815=l.1815，取Vbl*l.5（原因同前）Vb3=VCC-Vom2-IVrpil-5-0.5-0.8058=3.69
Vb2=VCC-Voap2-Vonp1-|Vrpll=5-0.5-0.7-0.8058=2.99，取Vb2=2.853.验证增益是否满足要求：
静态工作点约为：（（2.85+0.8058）+（1.5-0.5815））/2=2.29，L=2u时，查表
1.2可知此时入nl*0.2，An2=0.04，2pl*0.2，Ap2~0.4，于是可以估算出：
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全部评论(1)
2024-07-04 09:58:59fengjie2k
非常好的资源