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SK海力士375层4D NAND堆叠工艺创新.docx
资料介绍
SK海力士375层4D NAND：堆叠工艺与闪存密度创新
摘要
在FMS 2026大会上，SK海力士展示了其375层4D NAND闪存技术，这是继三星V10 BV-NAND（400层以上）之后，NAND闪存堆叠层数竞争的又一重要里程碑。SK海力士的4D NAND技术采用独特的"4D"架构设计——将外围电路置于存储单元阵列下方（PUC架构），在维持较小芯片面积的同时实现高密度存储。本文从架构设计、工艺创新与性能表现等维度，深入分析375层4D NAND的技术特征与产业意义。
一、引言：NAND堆叠层数的竞赛格局
全球NAND闪存厂商在堆叠层数方面的竞争持续升级：
· 长江存储：Xtacking架构，已实现232层至300层以上
· 美光：276层NAND已量产，正向300层以上推进
· SK海力士：375层4D NAND展示，目标2027年量产
· 三星：V10 BV-NAND，400层以上，采用晶圆键合技术
SK海力士的375层NAND采用其独有的4D NAND架构，该架构自2018年首次推出以来，已历经多代演进，在层数、存储密度与性能方面持续提升。
二、4D NAND架构原理
2.1 "4D"名称的由来
SK海力士的"4D NAND"并非指物理上的第四维度，而是指其独特的工艺架构：在外观上保持了3D NAND的垂直堆叠结构，但通过将外围电路置于存储单元阵列下方（PUC，Peri-under-Cell），实现了更高的存储密度和更优的电气性能。
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