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CMOS模拟集成电路习题集
资料介绍
已知:VDD=5V,lo=100uA,信号源内阻Rs=2K要求:Ave-60dB(即1000倍),输出摆幅≥2.5V一、参数估算
1.根据输出摆幅和增益确定各MOS管的过驱动电压Von:
VonN1+Vom2+ Vap1 +Vonp2≤2.5取VomN1*0.2,Vonx2=0.4,Voapl=0.7,Vonp2~0.5,
2.估算静态偏值电压为:
Vin = VoaNI+Vr1-0.2+0.5815=0.7815,VblsVoaxi+VanN2+VaN2=0.2+0.4+0.5815=l.1815,取Vbl*l.5(原因同前)Vb3=VCC-Vom2-IVrpil-5-0.5-0.8058=3.69
Vb2=VCC-Voap2-Vonp1-|Vrpll=5-0.5-0.7-0.8058=2.99,取Vb2=2.853.验证增益是否满足要求:
静态工作点约为:((2.85+0.8058)+(1.5-0.5815))/2=2.29,L=2u时,查表
1.2可知此时入nl*0.2,An2=0.04,2pl*0.2,Ap2~0.4,于是可以估算出:
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CMOS模拟集成电路习题集.pdf | 4M |
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2024-07-04 09:58:59fengjie2k
非常好的资源