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C波段有源微波冷噪声源设计及其性能分析

更新时间:2019-12-24 08:23:00 大小:2M 上传用户:守着阳光1985查看TA发布的资源 标签:有源微波冷噪声源 下载积分:1分 评价赚积分 (如何评价?) 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

本文在介绍国内外有源微波冷噪声源技术发展的基础上,分析了有源微波冷噪声源的工作原理和关键技术.提出了一种有源微波冷噪声源设计方法,重点分析了设计过程中的关键环节对噪声源性能产生的影响.采用p HEMT型场效应管研制了C波段有源微波冷噪声源器件,并对该器件的性能进行了测试和分析.


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11  
Vol. 46 No. 11  
Nov. 2018  
2018  
11  
ACTA ELECTRONICA SINICA  
C
波段噪声设计分析  
12  
1
1
1
13  
, , , ,  
董 帅 王振浩 贺瑞  
( 1.  
中国科学院国家科学中北京  
100190; 2.  
北京无线电研究北京  
100854;  
3.  
中国科学院大学 北京  
100049)  
:
本文内外噪声技术发的基分析噪声的工关键  
.  
技术 提出了一种噪声设计分析设计中的关键环节噪声产生的影响 用  
pHEMT  
C ,  
效应制了 波段噪声的性能进分析  
:
;
;
; HEMT  
关键词  
中图分类号  
URL: http: / /www. ejournal. org. cn  
噪声标  
:
TN710. 2TP732. 1  
:
A
:
文章编号  
0372-2112 ( 2018) 11-2797-06  
文献标识码  
DOI: 10. 3969 /j. issn. 0372-2112. 2018. 11. 030  
电子学报  
Design and Characterization of C-Band Active Cold Noise Source  
12  
1
1
1
13  
DONG Shuai WANG Zhen-zhan LI Bin LU Hao HE Qiu-rui  
( 1. National Space Science CenterChinese Academy of SciencesBeijing 100190China;  
2. Beijing Radio Institute of MeasurementBeijing 100854China;  
3. University of Chinese Academy of SciencesBeijing 100049China)  
Abstract: The active microwave cold noise source technology is introduced. The working principle and key technolo-  
gy of active microwave cold noise source are explained. A design method of active microwave cold noise source is pro-  
posedand the influence of the key steps in the design process on the performance of the noise source is analyzed. Based on  
these theoriesthe C band active microwave cold noise source device was developed by the pHEMT type field effect tran-  
sistor. In the endthe performance of the device is tested and analyzed.  
Key words: active cold noise source; radiometer; calibration; HEMT  
.  
难题 造  
1
引言  
34]  
, ,  
在于 存  
源  
一种测  
体积和期的步  
以及地表信息中有重波  
增加了时难度 于  
于确道响应计输电  
实验测环境应用  
线之间关系 计  
问题 本文础  
1]  
设计线性  
的影响  
.  
研究了一种噪声件 该一种  
射特高低标  
电路 常温环境出极低噪声亮  
, , 、  
理可高 低标  
, ,  
一种  
隔越两者不确度引误差会  
源  
2]  
,  
或者测  
应接或者低于值  
2
噪声源  
二者范围  
( Field  
噪声研究效应管  
Effect TransistorFET) 1975 Pucel  
, ,  
科学于  
300K  
噪声性的分析  
附近负载制成高标  
5]  
FET  
此  
出了述  
电学性的效电路型  
: 2016-05-11;  
: 2017-12-01; :  
责任编辑 蓝红杰  
收稿日期  
修回日期  
:
基金项目 有效关键技术方案设计研究项目  
( No. XDA04061202)  
2798  
2018  
FET  
(
效输现为个较大的电容 要  
T  
2
T  
负载温晶体管入端的  
1
中  
) ( ) .  
和一串联阻 贡输  
. G  
G
21  
S (  
晶体管 计算栅极  
度  
12  
电路中的电反馈  
) ( ) .  
极 和反栅极 功而  
T T  
是  
b
a
以在栅极个无器  
1981 Frater  
噪声配情况噪声导至栅极的  
19]  
FET  
噪声和栅极噪声分别式表示  
:
上  
出  
端  
'
2
T
小于室温噪声温  
Γ
k
opt  
T = T  
a
+
K]  
( 2)  
e( min)  
'
2
了一种在常温环境产生温噪声噪声  
1 -  
Γ
opt  
——“  
效应管  
( COLFET) ,  
6]  
提出  
T
献  
k
T =  
b
T  
K]  
( 3)  
e( min)  
'
2
:
三点应用噪声接收机噪声量提供  
1 -  
Γ
opt  
;
负载 作为三端环器的线失  
T  
= T ( NF -1) T = 4T R G . R  
opt  
G
分  
opt  
中  
e( min)  
0
min  
k
0
n
n
'
;
计的参考负载线温  
晶体管噪声噪声Γ 非  
opt  
6]  
对  
十六年  
噪声分析设计了  
21  
噪声配状态Γ 关系为  
opt  
:
*
Dunleavy  
应用网  
Γ
Γ
opt  
in  
'
=
( 4)  
Γ
opt  
COLFET,  
了  
FET  
- 1  
Γ Γ  
opt  
in  
噪声入  
研究深  
研究相继制出应用于不波频段的  
Active Cold Noise  
应用中 电路的设计管  
*
'
处于噪声状态 Γ  
=
= 0.  
Γ
从而Γ  
opt  
in  
opt  
噪 声 源 并 为  
T T  
a
( 1) ,  
的  
件下化  
式  
b
Source( ACNS) Active Cold LoadACL( ACL) .  
本文  
T
Γ 导得式  
L
( 5) :  
s1  
“ ” ,  
噪声的中文对  
T
s1  
2
= 2G ( T ( 1 -  
12  
) + T  
) G T ]  
21  
Γ
Γ
L
1
S
e( min)  
2
ACNS”  
英文写  
Γ  
L
Frater  
ACNS  
如  
样  
生之现  
. ACNS  
( 5)  
力  
无  
态制大大低了复杂护  
T
s1  
( 5)  
Γ  
0 ,  
有  
0,  
时  
式  
L
Γ  
L
, ,  
难度 而噪噪声源 其噪声工可  
T
,  
件下 种以效应为  
s1  
, ,  
控 使环境影响 可用于地  
电路可噪声温度  
6 ~ 17]  
种条表了国  
网络噪声声  
19]  
外在研究研究速  
:
件下有  
*
研究对较  
S  
Γ
opt  
11  
=
( 6)  
Γ
L
*
中科大学的一  
S S + S (  
12 21  
S )  
11  
Γ
22  
opt  
18]  
技术研究  
| |  
Γ 个可以通过  
L
FET  
S
数和电路 矩  
,  
求得的物理式  
( 6) S  
的  
3
噪声理  
3 4  
参考参考网络的  
ACNS  
FET  
产生噪声于  
双  
物理式  
( 6) ,  
设计目面  
3 /4  
1  
网络噪声效应为核双  
S | |  
矩阵使Γ 小  
L
网络示意图  
合上在  
T
小  
s1  
| | ,  
Γ 的  
L
ACNS  
制提据  
4
C
ACNS  
段  
设计  
噪声文本设计了一个  
C
波段的  
ACNS . 2 C ACNS  
波段  
心  
电路拓扑构  
1  
网络噪声型 参考系  
ACNS  
6. 8GHz,  
于  
设计该  
19]  
:
噪声温度为  
35MHz,  
噪声温小于  
150K. ACNS  
常温环  
2
T
= T + ( T ( 1 -  
1
) + T )  
a
Γ
s1  
b
S
( 1)  
FET  
境产生温噪声于  
噪声性 本设计  
GaAs pHEMT ,  
该  
2
2
G
+ T ( 1 -  
2
) G  
K]  
Γ
Γ
L
Avago ATF38143  
的  
取  
21  
L
12  

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