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碳化硅MOSFET的应用考虑因素
资料介绍
与硅同类产品相比，碳化硅（SiC）MOSFET具有独特的功能，使其成为卓越的开关。 SiC MOSFET的优点已在文献[1]中得到广泛记载。但是，需要了解一些独特的操作特性，以便可以充分发挥设备的潜力。
讨论：
成功应用SiC MOSFET的关键是需要了解器件的独特工作特性。在本节中，将讨论Cree的1200V80mΩSiCMOSFET（CMF20120D）的特性。将与其他类似的硅器件进行比较以及应用含义。这种比较的目的是说明操作特性的差异，而不是选择最好的设备。比较硅器件如下：
•900V，0.12 Si超结MOSFET（SJMOSFET）英飞凌IPW90R120C3 [2]
•1.2 kV，20 A沟道/场截止（TFS）Si IGBT Fairchild FGA20N120FGD [3]
•1.2 kV，20 A非冲压（NPT）Si IGBT国际整流器IRGP20B120U [4]
•1.2 kV，0.30 SiMOSFET（Si MOS8）Microsemi APT34M120J [5]
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| application_considerations_for_silicon_carbide_mosfets.pdf | 3M |
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