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碳化硅MOSFET的应用考虑因素
资料介绍
与硅同类产品相比,碳化硅(SiC)MOSFET具有独特的功能,使其成为卓越的开关。 SiC MOSFET的优点已在文献[1]中得到广泛记载。但是,需要了解一些独特的操作特性,以便可以充分发挥设备的潜力。
讨论:
成功应用SiC MOSFET的关键是需要了解器件的独特工作特性。在本节中,将讨论Cree的1200V80mΩSiCMOSFET(CMF20120D)的特性。将与其他类似的硅器件进行比较以及应用含义。这种比较的目的是说明操作特性的差异,而不是选择最好的设备。比较硅器件如下:
•900V,0.12 Si超结MOSFET(SJMOSFET)英飞凌IPW90R120C3 [2]
•1.2 kV,20 A沟道/场截止(TFS)Si IGBT Fairchild FGA20N120FGD [3]
•1.2 kV,20 A非冲压(NPT)Si IGBT国际整流器IRGP20B120U [4]
•1.2 kV,0.30 SiMOSFET(Si MOS8)Microsemi APT34M120J [5]
部分文件列表
文件名 | 大小 |
application_considerations_for_silicon_carbide_mosfets.pdf | 3M |
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