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基于Multisim的忆阻器的实现及工作条件
资料介绍
惠普实验室的四位研究人员于2008年成功制造了基于纳米级金属和金属氧化物的忆阻器，并发现了忆阻器的数学模型[1]。 从那以后，忆阻器一直在关注[2-11]。 然而，分析包含忆阻器的电路非常困难，因为忆阻器的电压 - 电流关系（VCR）是多值函数。 虽然研究人员通常使用线性化方法来分析电路，但它也很困难且不准确。 本文根据基于Multisim的映射原理和电路原理，建立了将其他电路元件转换为忆阻器的变换器，以便轻松，准确地分析包含忆阻器的电路。 忆阻器是提供磁链ψ和电荷q之间的函数关系的元素，基本模型如下。
ddψ= M q（1）
其中M是忆阻器的记忆。
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