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聚焦离子束刻蚀
资料介绍
一、技术原理与基本构成
聚焦离子束刻蚀（Focused Ion Beam,FIB）是一种利用高能聚焦离子束对材料进行微纳加工的先进技术。其核心原理是通过离子源产生带电离子（常用Ga⁺离子），经加速电压（通常1-30kV）加速后，由静电透镜系统聚焦成直径可达5-100nm的超细离子束，轰击样品表面实现材料的去除（刻蚀）或沉积（镀膜）。
1.1 离子源系统
主流离子源为液态金属离子源（LMIS），以镓（Ga）为典型材料。镓在常温下呈液态，通过电场诱导尖端发射产生离子束，具有束流稳定、亮度高的特点，可满足纳米级加工精度要求。
1.2 光学聚焦系统
由多级静电透镜、偏转线圈和光阑组成，可将离子束聚焦至亚微米甚至纳米尺度。通过调整透镜电压和偏转电流，实现束斑大小控制（最小可达5nm）和扫描路径规划。
1.3 样品台与真空系统
样品台需具备高精度三维移动（定位精度≤1μm）和倾斜功能（0-90°），配合10⁻⁶-10⁻⁹Torr的高真空环境，避免离子与空气分子碰撞导致束流发散。
1.4 辅助检测系统
集成二次电子探测器（SED）和离子探测器，可实时获取加工区域的形貌图像（分辨率可达10nm），实现"加工-观测"一体化操作。
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| 1778502294聚焦离子束刻蚀.docx | 16K |
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