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175℃功率MOSFET场效应管在核磁共振功放电路中的应用

更新时间：2020-06-17 15:51:48 大小：2M 上传用户：守着阳光1985查看TA发布的资源 标签：mosfet场效应管核磁共振 下载积分：5分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

发射效率和温度性能是核磁共振功放电路的重要指标,核磁共振发射器电路结构为D类全桥功率放大电路,引起D类功放效率下降的主要因素表现为场效应管的耗散功率。耗散功率既降低了发射效率,又会引起电路系统温度的上升。理论计算出175 ℃环境下,在一定条件的发射功率下,通过良好散热,功率MOSFET场效应管需要承受的最大结温约为200 ℃。芯片专用检测平台可以检测出功率场效应管的漏源击穿电压、漏极电流、栅源阈值电压、导通电阻等各参数随温度变化趋势。从大量芯片高温检测结果来看,功率MOSFET场效应管APT14M100B在200 ℃时的失效率约8％,经过筛选后的芯片用在电子线路上再次进行高温测试,测试结果表明,该场效应管能满足核磁共振发射器在井下175 ℃环境下有效稳定地工作。

The emission efficiency and temperature rate are important indicators of the NMR power amplifier circuit. The NMR transmitter circuit structure is a class D full-bridge power amplifier circuit, whose efficiency degradation is mainly attribute to power dissipation of the field effect transistor. The power dissipation not only reduces the transmission efficiency but also causes the temperature rise of the circuit system. By theoretical calculation, under the temperature of 175 ℃, given emission power and good heat dissipation, the maximum junction temperature of the power MOSFET field effect transistor is abo...

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